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RSS订阅转载 TTL门与COMS门区别
http://blog.csdn.net/pengliangfeng/article/details/5554420一．TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门（transistor-transistor logic gate），TTL大部分都采用5V电源。1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.
2015-09-08 19:24:40
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转载 DDR3详解（以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例）
转自：http://blog.csdn.net/njuitjf/article/details/18360741 首先，我们先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。 DDR3的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个
2015-09-01 21:30:58
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转载 Open drain & push pull 原理
本文地址：http://qzone.qq.com/blog/35182762-1216169066最近在写GPIO的driver, 在配置GPIO管脚时，看见了感觉熟悉的两个名词：Open Drain and Push Pull。可是一时对它们的原理及区别有感觉很模糊，故上网收集了一些资料复习一下。 所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏
2015-08-18 12:29:05
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空空如也
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