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原创 dB,dBm,dBi,dBd

源自:http://bbs.c114.net/thread-398211-1-1.html  功率单位 与P(瓦特)换算公式:  (10*P)dBm=(10*P)dB-30dB (P:瓦 )  首先, DB 是一个纯计数单位:对于功率,dB = 10*lg(A/B)。对于电压或电流,dB = 20*lg(A/B).dB的意义其实再简单不过了,就是把一个很大(后面跟一长串0的)或

2016-08-15 17:34:04 782

原创 UMTS

UMTS(Universal Mobile Telecommunications System),意即通用移动通信系统。是当前最广泛采用的一种第三代(3G) 移动电话技术。它的无线接口使用WCDMA技术,由3GPP定型,代表欧洲对ITU IMT-2000 关于3G蜂窝无线系统需求的回应。相关链接:http://wiki.dzsc.com/info/8651.htmlhttp:/

2016-08-11 15:36:30 762

原创 移动通信频段(2G、3G、4G)

4G是第四代移动通信技术的简称。中国移动采用了4GLTE标准中的TD-LTE。TD-LTE演示网理论峰值传输速率可以达到下行100Mbps、上行50Mbps。 移动通信4G频段中国电信TDD LTE2370-2390 MHz(20M)2635-2655 MHz(20M) 中国移动TDD LTE1880 -1

2016-08-11 12:53:22 27467 1

原创 GSM/GPRS/EDGE简介

GSM/GPRS/EDGE简介GSM  全球移动通信系统(Global System of Mobile communication),是全球应用最广泛的移动电话标准。GSM被认为是第二代移动通信标准(2G),同时它是一个开放的标准,当前由3GPP持续开发中。GPRS  通用分组无线服务技术(General Packet Radio Service),它是G

2016-08-10 23:42:47 4285

转载 中国移动:GSM、TD-SCDMA 中国联通:GSM、WCDMA 中国电信:CDMA、CDMA2000

来源:知乎链接:https://www.zhihu.com/question/20388677/answer/14986172中国移动:GSM、TD-SCDMA中国联通:GSM、WCDMA中国电信:CDMA、CDMA2000GSM:也就是我们常说的2G模式,属于第2代蜂窝移动通信技术,其使用频率在800MHz~1800MHz左右。因为2G时代的中国移动和中国

2016-08-10 23:15:48 4018

原创 稳压二极管

要理解稳压二极管的工作原理,只要了解二极管的反向特性就行了。所有的晶体二极管,其基本特性是单向导通。就是说,正向加压导通,反向加压不通。这里有个条件就是反向加压不超过管子的反向耐压值。那么超过耐压值后是什么结果呢?一个简单的答案就是管子烧毁。但这不是全部答案。试验发现,只要限制反向电流值(例如,在管子与电源之间串联一个电阻),管子虽然被击穿却不会烧毁。而且还发现,管子反向击穿后,电流从大往小变,电

2015-11-09 14:01:31 904

原创 P2P, P2C, O2O, B2C, B2B, C2C

P2P, P2C, O2O, B2C, B2B, C2CP2P、P2C 、O2O 、B2C、B2B、 C2C的概念解析P2P到底是什么呢?  P2P借贷是一种将非常小额度的资金聚集起来借贷给有资金需求人群的一种民间小额借贷模式。P2P是“Peer-to-Peer”的简写,个人对个人的意思,P2P借贷指个人通过第三方平台(P2P公司)在收取一定服务费用的前提下向其

2015-08-14 23:23:44 889

原创 PADS中Flood和Hatch的区别

Flood比较正确的说法应该叫灌铜,是指对用(Copper Pour)画幅出来的闭合区域根据设定规则进行铺铜的一个动作。而铺铜是指用Copper手动画铜皮。而对于Flood和Hatch的区别,在帮助中可以找到:Flooding recalculates the pour area and recreates all clearances for the current obstacles wi

2015-07-04 23:13:47 3012

原创 贴片电阻常规尺寸及功率

贴片电阻常规尺寸及功率    贴片电阻目前最为常见封装有10种,同时也用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由EIA(美国电子工业协会)代码,另一种前两位与后两位分别表示电阻的长与宽,以英寸为单位。比如:我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种1608是公制代码,也由4位数字表示,其单位为毫米。  贴片电阻封装表示法以及对应功率客户经常弄错,我们为了让客户更加快速便捷的查

2015-06-04 22:31:02 2933

原创 DDR核心频率、工作频率,等效频率详解

DDR核心频率、工作频率,等效频率详解■何为内存频率 对于内存条,相信大家并不陌生。因为内存已经成为每台电脑的必备配件,从EDO、SDRAM、DDR、DDR2再到现如今的DDR3内存,变化可谓是翻天覆地。内存无论是在容量、速度、性能上都有了显著的提高。    但是内存市场中,产品可谓是型号众多,比如DDR2 667、DDR2 800、DDR3 1600等等,这些各式各样的各

2015-05-29 13:16:44 45617 10

原创 RAM

RAMRAM (Random-access memory)http://en.wikipedia.org/wiki/Random-access_memoryROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别http://maxim.eefocus.com/Canon/blog/07-08/2959_ddfbb.htmlROM、RAM、DRAM、SRAM、SDRAMht

2015-05-28 12:32:40 602

原创 DDR4, DDR3, DDR2, DDR1 及SDRAM各有何不同?

DDR4, DDR3, DDR2, DDR1 及SDRAM各有何不同?SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory):為同步動態隨機存取記憶體,字首的Synchronous告訴了大家這種記憶體的特性,也就是同步。1996年底,SDRAM開始在系統中出現,不同於早期的技術,SDRAM是為了與中央處理器的計時同步化所設計,這使得記憶體控制

2015-05-28 11:57:28 9557

原创 DataFlash

DataFlashDataFlashhttp://en.wikipedia.org/wiki/DataFlashUsing Atmel's DataFlash http://www.atmel.com/Images/doc0842.pdfDataFlash代表什么意思?原文网址:http://www.ebv.hk/atmel/dataflash-2.html

2015-05-06 12:23:47 2848

原创 NOR Flash

NOR Flash產業概況原文網址: http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?id=0000270697_L7I50D37LZG2ZX631KYZV#ixzz3ZJnB2ob4全球NOR Flash產業分為並列式快閃記憶體(Parallel Flash)和序列式快閃記憶體(Serial Flash),目前處於產業規格交替時期,過去全

2015-05-06 09:38:59 973

原创 CAN 总线

CAN总线CAN总线  http://wiki.dzsc.com/info/2752.htmlCAN总线基础总结  http://blog.csdn.net/app_12062011/article/details/9361805Introduction to the Controller Area Network (CAN)  http://www.ti.com/

2015-04-13 19:09:33 649

原创 ARM嵌入式最小系统

ARM嵌入式最小系统ARM嵌入式最小系统的软硬件架构的改进研究  http://www.eeworld.com.cn/mcu/2013/0607/article_13260.htmlARM最小系统  http://www.cnblogs.com/jiansiming/articles/2195924.html嵌入式ARM开发的软硬件选择指南  http://commun

2015-04-11 11:42:06 2844

原创 TVS的特性及应用

什么是TVS管?TVS的特性及应用源自 http://www.twtcr.com/article.php?lge=zh&id=36一、解释TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品,其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时,它能以极高的速

2015-04-10 23:02:08 3531

原创 电感、磁珠和零欧电阻的区别

电感、磁珠和零欧电阻的区别 源自 http://www.21ic.com/jichuzhishi/analog/questions/2014-04-28/337094.html 电感是储能元件,多用于电源滤波回路、LC振荡电路、中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过50MHz。对电感而言,它的感抗是和频率成正比的。这可以由公式:XL = 2πfL来说明,其中XL是感抗(单位是Ω

2015-04-10 22:11:27 1623

原创 Audio 音频总线

Audio 音频总线https://en.wikipedia.org/wiki/I²SI2S音频总线学习(一)数字音频技术  http://blog.csdn.net/ce123_zhouwei/article/details/6919862I2S音频总线学习(二)I2S总线协议  http://blog.csdn.net/ce123_zhouwei/article/detai

2015-04-10 21:49:07 1764

原创 触摸屏原理简介及应用

触摸屏技术分类及各自工作原理介绍 http://www.elecfans.com/consume/323382.html电阻式触摸屏组成结构及工作原理 http://www.51touch.com/technology/principle/201309/25-25386.html电阻式触摸屏的基本结构和驱动原理 http://tech.newmaker.com/art_32280.

2015-04-03 12:12:05 773

原创 眼图(Eye Diagram)与数字信号测试

眼图 http://zh.wikipedia.org/zh-cn/眼圖眼图(Eye Diagram)与数字信号测试 http://digital.ni.com/public.nsf/allkb/0B20F0575F5F3CFF86257B04003F841C#rank主要软件: LabVIEW Toolkits>>LabVIEW Jitter Analysis Toolkit

2015-03-31 16:36:51 7353 1

原创 USB 知识整理合辑

USB 知识整理合辑USB基础知识概论 http://www.crifan.com/files/doc/docbook/usb_basic/release/htmls/USB (Universal Serial Bus) http://wiki.csie.ncku.edu.tw/embedded/USBhttp://en.wikipedia.org/wiki/USB#Overview

2015-02-02 23:30:15 716

原创 FRAM 铁电存储器

什么是FRAMFRAM (铁电随机存取存储器) 是被称为 FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM 具有 ROM (只读存储器) 和 RAM (随机存取器),在高速写入、高耐受力、低功耗和防窜改方面具有优势。关于铁电质下面的图表解释了 PZT 晶体结构,这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和

2015-02-01 22:56:27 3629

原创 TF卡及SD卡接口规范

1. TF卡接口 2. SD卡接口源自:http://www.51hei.com/chip/1849.html相关文章:TF卡及SD卡接口规范 http://blog.csdn.net/myarrow/article/details/8921214TF卡 SD卡接口 http://blog.sina

2015-01-24 15:40:09 4170

原创 串口入门基础--RS232/RS485

串口入门基础--RS232/RS485RS-232  https://zh.wikipedia.org/zh/RS-232#.E6.A0.87.E5.87.86.E7.9A.84.E7.BB.86.E8.8A.82EIA-485  https://zh.wikipedia.org/wiki/EIA-485USART rs485 rs232  http://www.c

2015-01-17 14:42:25 1102

原创 电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解

电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的X5R,X7R,Y5V,COG等等看上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献,现在翻译出来奉献给大家。这类参数描述了电容采用的电介质材料类别,温度特性以及误差等参数,不同的值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说,就是:X7R常用于容量为3300pF~0.

2015-01-14 18:11:35 7545

原创 滤波电容,去耦电容,旁路电容

去耦电容和旁路电容详解在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。对于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦(decoupling)电容也称退耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象。去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。从电路来

2015-01-12 00:22:14 1416

转载 Ctrl组合快捷键大全

Ctrl+W是什么快捷键 Ctrl组合快捷键大全2013-01-02 18:00   来源:www.pc841.com   作者:电脑百事网原创   查看评论分享给小伙伴们看看:  关注我们: 近日IT论坛上一篇千万不要按Ctrl+W,不然你会后悔的文章引来很多网友围观,很多网友对此感到不解,不知道Ctrl+W是什么快捷键,也不敢贸然试试,害怕电脑出

2015-01-10 10:32:39 11628

原创 NandFlash详述

NandFlash详述【Flash的硬件实现机制】Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,

2014-12-20 13:55:25 828

原创 液晶屏TTL屏、LVDS屏的区别

LVDS液晶屏和TTL液晶屏的区别简介TTL信号是TFT-LCD能识别的标准信号,就算是以后用到的LVDS,TMDS都是在它的基础上编码得来的。TTL信号线一共有22根(最少的,没有算地和电源的)分另为R G B 三基色信号,两个HS VS 行场同步信号,一个数据使能信号DE,一个时钟信号CLK,其中R G B三基色中的每一基色又根据屏的位数不同,而有不同的数据线数(6位,和8位之分)

2014-12-14 20:58:31 12024

原创 eMMC的前世今生

讨论到eMMC的发展历程,必须要从介绍Flash的历史开始Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块。1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主,可以让微处理器直接读取。因为读取速度较快,但晶片容量较低,所以多应用在通讯产品中

2014-12-04 12:02:08 1969 2

原创 linux命令整理合辑

linux命令整理合辑Linux命令大全_linux红联整理 http://wenku.baidu.com/view/08eb85ff9e314332396893a1.html?re=viewLinux命令大全完整版  http://wenku.baidu.com/link?url=0-SPNdStovkxiZ2b6-c6YvgX-PDdNvCVm16S3Q

2014-12-03 22:59:31 894

LINUX+命令大全

1 文件传输 1.1 bye 功能说明:中断FTP连线并结束程序。 语  法:bye 补充说明:在ftp模式下,输入bye即可中断目前的连线作业,并结束ftp的执行。 1.2 ftp (file transfer protocol) 功能说明:设置文件系统相关功能。 语  法:ftp [-dignv][主机名称或IP地址] 补充说明:FTP是ARPANet的标准文件传输协议,该网络就是现今Internet的前身。 参  数: -d 详细显示指令执行过程,便于排错或分析程序执行的情形。 -i 关闭互动模式,不询问任何问题。 -g 关闭本地主机文件名称支持特殊字符的扩充特性。 -n 不使用自动登陆。 -v 显示指令执行过程。 ....

2010-04-08

《微机原理与接口技术》

微机原理基础知识, 第 1 章 微型计算机概述 第2 章 16位和32位微处理器 第 3 章 16位和32位微处理器的指令系统 ......

2009-11-01

空空如也

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