根正苗红好青年-CSDN博客

原创记一次搭建服务器经历(系统:centos7，软件：sentaurus)

由于很少接触服务器，这次相对来讲比较独立安装服务器和软件（还是在组里工程师老师的帮助之下才稍微顺利一些）是一次相当有难度的操作，所以记下来一些在搭建服务器过程中遇到的一些坑。1、服务器系统安装首先是服务器的型号，服务器选择使用的是DELL R740。由于这个服务器的型号，导致我们在第一步安装系统的时候就出现困难，刚开始安装系统的时候是选择的centos6.8，因为服务器的主要用途还是用来运行sentaurus，而centos6.8是公认的完美适配sentaurus2018的。但是出现了问题，是因为ce

2021-04-21 20:19:42 2064 3

原创 sentaurus学习日记（三）--定义一个仿真的界限

我们在使用一些功率器件的时候往往需要达到材料的临界电场，那么在sentaurus中如何定义材料的临界电场呢，其实是非常简单的一件事，只需要几行代码，这边以4H-SiC为例，来看下怎么书写。Math(Material="SiC_4H"){ BreakCriteria{ ElectricField (maxval= 3e6) } }增加一个Math的界限，然后给材料一个最大值。一些其他的界限可以看手册的Chapter 4部分的Break Criteria....

2021-02-02 14:17:07 2545 4

原创 sentaurus学习日记(二)--器件特性提取

上一次已经写了以下关于器件结构的仿真，这一次就写一下器件的特性，所使用的sentaurus的版本为2018版，可能会因为版本问题而导致跑出来的结果不一样，但是可以修改材料参数，我使用的是2018版自带的4H-SiC材料参数。很多材料参数可以从http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html来查找，不过有些参数比较老，个人建议还是使用新的软件自带的参数。OK，还是老规矩，先上代码Electrode { { Name="emitterright" Vo

2021-01-23 20:25:12 6610 3

原创 sentaurus学习笔记（一）器件仿真

之前有跟大家说，以后转到sentaurus，因此silvaco会用的比较少，结果发现真的有一点贪心厌旧的感觉，现在基本上不用silvaco(lll￢ω￢)故这篇文章，将为大家带来的是关于sentaurus的结构仿真和器件的特性的提取。我们还是老规矩，先上结构图。还是一个经典的IGBT结构，这是一个典型的N型IGBT，下面我将把一些相关的结构，和具体的写法用下面一幅图表达出来。这里因为方便看，我们把器件的比例画的比较抽象。可以看到的是，这里有很多的距离参数是用一些变量名来写的，这也是sentaurus

2021-01-12 15:31:51 24643 27

原创以后Silvaco文章会更的少一点了，在学Sentaurus

往后会陆续更一些sentaurus的文章，因为在做功率器件，silvaco在这方面的表现并不是很好，但是还是会继续和大家交流silvaco的使用的，也希望有使用sentaurus的朋友一起交流

2020-12-07 16:17:57 2486 6

原创 silvaco学习日记（九）--比较成功的一次仿真

还是对之前的n型igbt进行仿真，不过这次仿真的现象是温度对于igbt 的开启电阻的影响，这次是比较成功的一次仿真。我们代码如下：go atlas simflag="-p 16"mesh width=1x.mesh loc=0 spac=0.02x.mesh loc=0.3 spac=0.01x.mesh loc=0.9 spac=0.01x.mesh loc=1.3 spac=0.01x.mesh loc=1.5 spac=0.01x.mesh loc=1.6 spac=0.

2020-11-21 11:38:46 6131 15

原创 silvaco学习日记（八）--对界面电荷问题的解决

在之前的仿真中，我一直致力于改变碳化硅与二氧化硅之间的界面电荷密度的值来观察阈值电压与开启电阻之间的关系。由于感觉界面电荷全是电子，因此P-IGBT应该会出现不一样的结果。器件结构代码如下：go atlas simflag="-p 6"mesh width=1x.mesh loc=0 spac=0.02x.mesh loc=0.3 spac=0.01x.mesh loc=0.9 spac=0.01x.mesh loc=1.3 spac=0.01x.mesh loc=1.5 spac=0.01

2020-11-19 19:01:37 2861 1

原创 silvaco学习日记（七）--对之前一些问题的解决以及一些新的问题

在之前的博客中，我写出了最近仿真中的一些问题：①内存分布不足问题；②仿真所得曲线与文献中的曲线不符合问题；③只有将栅极的长度加长才可以得到比较理想的曲线。以下的仿真是基于文献“”结构仿真的代码如下：go atlas simflag="-p 4"mesh width=1x.mesh loc=0 spac=0.2x.mesh loc=3 spac=0.1x.mesh loc=9 spac=0.1x.mesh loc=13 spac=0.1x.mesh loc=15 spac=0.1x.mes

2020-11-18 22:01:15 4664 6

原创 Silvaco学习日记（六）--很失败的仿真

最近这几天一直在做关于某篇文献的仿真，文献为：Device design assessment of 4H–SiC n-IGBT – A simulation study其中，我犯了两个巨大的错误：①不知道这篇文献是用什么软件模拟的，但我天真的以为就是silvaco可能是有一部分比较兴奋的原因。②准备不够详细，没有很耐心的看完整篇文献的细节，不同于之前看文献，对文献的结果进行仿真需要知道很多详细的数据才能出现类似的结果，但是我之前养成的习惯是看趋势，分析其中的物理原因，因此这次也是比较愚蠢的错误。首

2020-11-15 17:31:10 6496 7

原创 silvaco学习日记（五）--改变材料参数并且使用

用了很久才改变材料的参数并且使用，主要原因还是被之前的编程语言所束缚，将自定义材料的语句放在了比较靠前的位置，而实际上，这些语句应该放在最后面我们先看一下改变材料参数的语句：material material=sic-4H permittivity=9.66 eg300=3.26 \ egalpha=6.5e-4 egbeta=1300 vsat=2.0e7 ksrhgn=-1.7 ksrhgp=-1.7 \ ksrhtn=5e-9 ksrhtp=2e-7

2020-11-11 21:05:55 5983 1

原创 silvaco学习日记（五）-解决只能在矩形内填充材料的问题

在进行结构仿真的时候遇到了一个问题，目前还没有解决在文献中，看到IGBT的结构为：可以看到这个IGBT的栅极相对于阴极是突出的，因此我在仿真时也想这么写，但是出现了一个问题，问题代码如下：go atlas simflag="-p 4"mesh space.mult=1.0x.mesh loc=0 spac=0.02x.mesh loc=2 spac=0.05x.mesh loc=4 spac=0.05x.mesh loc=4.5 spac=0.05x.mesh loc=5 spac=0.

2020-11-09 17:02:44 1790 2

原创 silvaco学习日记（四）

之前在程序里对nMOS在漏极电压为0.1V时，增加栅极电压提取漏极电流跑出了较理想的曲线，但是之后固定栅极电压增加漏极电压看漏极电流时却出现了问题。具体代码如下：mesh inf=nMOS_atlas_3.strmodels mosinterface qf=3e10method newton itlimit=25 maxtrap=4solve initsolve vgate=2log outf=IdVd_vg_2.logsolve vdrain=0 vstep=0.05 vfinal

2020-11-06 09:26:00 3155 2

原创 silvaco学习日记（三）--nMOS工艺仿真详细过程

在这之前作者一直认为silvaco是一个像是其他的编辑器一样根据代码写东西的编译器，但其实不是，我的思想被之前用过的传统编译器所束缚，silvaco其实是一个交互式的软件，因此我们不用特意进行语言的记忆与理解，当然这些都是我在进行了工艺仿真之后才得出的结论，由于工艺仿真更加贴近实际的器件，因此以后大概率使用工艺仿真。我们还是先来看代码，但是不同的是这次会介绍怎么进行交互操作，个人认为这才是silvaco的正确使用方式。go athena#line x loc=0.00 spac=0.05line

2020-11-03 10:32:54 20543 18

原创 2020-10-23

Silvaco学习日记(2)-2020.10.23上次是对一个nMOS进行仿真，仿真出其结构，但是器件的特性我们并不知道，因此对其进行特性的仿真，此处对其进行两个方向的仿真，一个是当Vd为0.1V时，Vg从0到3V进行变化，观察其Id的变化；一个是当Vg为1V,2V,3V时Vd从0到5V进行变化，观察其Id的变化情况。下面是当Vd为0.1V时，Vg从0到3V进行变化：####### IdVg@Vd=0.1 Vg=0-3Vgo atlas simflag="-p 4"mesh inf=nMOS_at

2020-10-25 16:02:17 1954

原创 Silvaco学习日记（2020/10/20）

Silvaco学习日记（2020/10/20）@TOC由于本人本科是由电子信息相关专业毕业，硕士期间没有继续从事相关的专业，反而进入某大学物理系学习半导体器件，进入更加底层的设计，所研究的方向为功率器件，因此对于半导体器件的仿真需要重新学习，此系列的文章便是记录自己学习silvaco的过程，由于此软件相对来说比较小众，因此希望可以通过这些文章和大家进行交流，主要目的记录自己在学习中的收获，并且进行复习，如有错误请大家斧正。本学习的内容是来自B站的课程，为我国的台湾大学的课程，是一个学生直播了老师讲课

2020-10-20 20:12:43 6510 3

weixin_43262021的博客