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原创 让人又爱又恨的氮化镓器件 --- 记录人生第一次炸机
宽禁带器件也不是什么新鲜词儿了，我们常用的宽禁带电力半导体有两类 — 氮化镓GaN器件和碳化硅SiC器件。之前尝试过用SiC器件研发了一款图腾柱PFC整流器，别的不说，这SiC是真的耐造。从头到尾，竟然没有炸过任何一片SiC MOSFET。然后最近在做一款高功密的2kW Boost样机，换了配方，用了GaNsystem公司的氮化镓器件，于是，有了我的“处女炸”。炸机的主要原因是软起动的逻辑没有处理好。正文刚开始的启动逻辑正常的启动顺序：（状态机state）刚启动dsp：state = Co.
2020-07-13 09:55:24
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原创 DSP的ADC设置与使用详解 -- 以F28069为例
该解决的问题早晚都要解决的。ADC of F28069 Overviewsingle 12-bit converter fed by two sample and hold circuitsThe basic principle of operation is centered around the configurations of individual conversions, called SOC’s, or Start-Of-Conversions.特性12-bit ADC cor.
2020-07-09 14:07:25
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原创 高频DC-DC变换器中的磁件设计
参考文献：摘要主要讨论内容如何根据变换器的功率等级和开关频率，预估电感和变压器的体积，从而选取合适的磁芯和骨架磁芯材料和形状的选取规则其他新型磁件科技基础电磁场知识电感变压器...
2020-06-26 23:09:01
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原创 电力电子中的DSP开发板使用 --- 接地篇
序：在使用DSP开发板的时候，如何正确接地经常困扰我。接地配置简述下面以DSPTMS320F28377D的芯片和开发板，分析一下电力电子中常用的功能（ADC/DAC/PWM发生器）对应的接地引脚和接地方式。开发板采用的傅里叶公司的简易核心开发板，和其他开发板应当是大同小异的。先简单说一下傅里叶公司设计的这一款28377D开发板。芯片采用的BGA封装，共有337个引脚。（由于BGA封装的DSP引脚编号不方便，因此傅里叶公司提供了一个TMS320F28377D 管脚定义 及分配文件，将矩阵式的引脚编号
2020-06-21 11:35:31
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原创 磁珠和零欧电阻是同一个东西吗？
磁珠、零欧电阻磁珠和零欧电阻是同一个东西吗？零欧电阻mouser上面的一个典型的零欧姆电阻，如下：在数据手册中，给出的相关特性有：可以看到，在众多的电气特性中，并没有给出零欧姆电阻的频率响应。可见零欧电阻的设计初衷还是当做跳线用的。磁珠mouser上面的一个典型的SMD磁珠，如下：反观磁珠的datasheet，给出了比较详细的频率-阻抗响应曲线，如下：二者的价格几乎相同，封装也是一致的，因此，在EMC应用中，尽量还是用磁珠来阻隔高频干扰（如，连接DSP的模拟地和数字地）。...
2020-10-09 23:02:22
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原创 磁芯损耗
磁芯损耗磁滞损耗 + 涡流损耗 + 剩余损耗磁滞损耗：不可恢复能量，与磁滞回线面积成正比，磁感应摆幅越大，损耗也就越大。（因此，磁导率低的材料可以缓解磁滞损耗）涡流损耗：磁芯材料的电阻率并不是无穷大，绕着磁芯周围有一定的电阻，感应电压产生电流–涡流，在电阻上产生损耗EE40磁芯的功率等级50kHz - 190W100kHz - 290W150kHz - 420W200kHz - 550W...
2020-08-20 08:41:38
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原创 传感器 --- Hall,AMR,GMR,TMR技术的比较
四代磁性传感器技术的优势与原理对比。第一代：Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转，在磁场方向上形成附加的横向电场，即霍尔电场纵向磁场感应。第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器单磁层器件平行磁场感应工作场范围窄第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射第四代：TMR.
2020-08-09 22:02:10
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原创 TINA-TI软件中的变压器
翻到这篇帖子，你肯定已经知道TINA-TI软件是什么东西了。废话不多少，直接上干货。变压器如图，L5/L6/L7共同构成了一个副边带中心抽头的变压器。其中，K2为变压器的耦合系数。L5与L6/L7的比值，为绕组变比的平方。综合来看，图中变压器的变比为280uH∗0.985968nH=16.88\sqrt{\frac{280uH*0.985}{968nH}} = 16.88968nH280uH∗0.985=16.88...
2020-07-16 16:17:56
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原创 DSP的EPWM设置与使用详解 -- 以F28069为例
原理EPWM的几个基本模块Time-Base ModuleCounter Compare ModuleAction Qualifier ModuleDead-Band Generator Module暂时用不到，先不看PWM Chopper (PC) Module暂时用不到，先不看Trip Zone Module暂时用不到，先不看Event Trigger Module暂时用不到，先不看实例详解...
2020-07-09 14:58:54
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原创 DSP F28069 build 出现warning ： creating output section “xxxx“ without a SECTIONS
现象描述程序本身没有问题。但是会出现warnings。如上图。解决方案添加cmd文件 F2806x_Headers_nonBIOS.cmd原因分析在warnings出现的时候，project仅有一个cmd文件28069_RAM_lnk.cmd。具体内容如下/*// TI File $Revision: /main/3 $// Checkin $Date: March 3, 2011 13:45:43 $//#######################################
2020-07-06 10:10:43
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原创 电力电子电路常用的保护型器件
热敏电阻NTC随着温度的升高，电阻减小。用于抑制电路启动阶段的过电流。压敏电阻Varistor主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。也称为“电冲击（浪涌）抑制器（吸收器）”。当加在压敏电阻上的电压低于它的阈值时，流过它的电流极小，它相当于一个阻值无穷大的电阻。也就是说，当加在它上面的电压低于其阈值时，它相当于一个断开状态的开关。当加在压敏电阻上的电压超过它的阈值时，流过它的电流激增，它相当于阻值无穷小的电阻。也就是说，当加在它上面的电压高于其阈值时，它相当于..
2020-06-27 21:17:20
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原创 数字控制电力电子电路的采样和滤波
核心内容一般来说，采样的对象为电路的输出电压、电流。对于数字控制来说，采样电路在理论上来说是不需要滤波的。因为一般的采样方式为同步采样，即在载波的波峰或波谷进行采样（这两种方式一般情况下差异不大）。有一定电力电子基础的同学应该知道，其实采样电路的滤波成本很低，最简单的低通滤波仅需要在分压电阻两端并联一个小电容即可实现。但是为什么我们不喜欢采用这种滤波方式呢？因为这样会在系统中引入相位滞后，对系统的性能影响较大。因此，能避免就尽量避免。然而，上述的RC滤波方式其实又是很常见的。怎么样运用这种滤波方式
2020-06-26 20:31:56
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原创 同步整流芯片UCC24610D的使用
UCC24610DSecondary side synchronous rectifier controller应用UCC24610D在LLC电路中的应用UCC24610D在Flyback电路中的应用
2020-06-21 23:21:40
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原创 隔离运放AMC1311的使用
序：填坑。AMC13112-V input, reinforced isolated amplifier with high CMTI for voltage sensingCMTI (common mode transient immunity)共模抑制效果optimized for isolated voltage measurementBasic UseTI官方给出的参考电路如上简单粗暴来讲，我们需要准备的就是以高压侧的地为GND的3.0 ~ 5.5V的辅助电源和以DSP的GN.
2020-06-21 22:50:29
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原创 UCC25600 芯片设计解读与调试
Feature DescriptionSoft Start软起动时序SS 引脚同时也是芯片的ON/OFF引脚，当Vss低于1V的时候, the device is disabled.当开始启动的时候，如果SS引脚的电压低于1.2V，此时它的输出电流为175uA。因此，上图中的延时tss,delay=1.2V175uACsst_{ss, delay} = \frac{1.2V}{175uA}C_{ss}tss,delay=175uA1.2VCss当SS引脚的电压高于1.2V时
2020-06-18 16:02:54
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原创 详细解解读贴片电容：NP0、C0G、X7R、X5R、Y5V、Z5U的区别
主要是介质材料不同。不同介质种类由于它的主要极化类型不一样，其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。 在相同的体积下的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器， NPO属于Ⅰ类陶瓷，而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U等都属于Ⅱ类陶瓷。什么是Ⅰ类陶瓷，有什么特点？Ⅰ类陶瓷电容器（ClassⅠceramic capacitor），过去称高频陶瓷电容器（High-frequency ceramic capaci
2020-06-16 08:49:24
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原创 EMC 常见电磁兼容器件设置
磁珠磁珠的作用在成品电路板上，我们会看到一些导线或元件的引脚上套有黑色的小磁环，这就是本文要介绍的磁珠。磁珠的全称为铁氧体磁珠滤波器(另有一种是非晶合金磁性材料制作的磁珠)，是一种抗干扰元件，滤除高频噪声效果显著。 铁氧体材料的特点是高频损耗非常大，具有很高的导磁率，使电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容最校当磁珠中有电流穿过时，铁氧体对低频电流几乎没有什么阻抗，而对较高频率的电流会产生较大的衰减。对于抑制电磁干扰用的铁氧体，最重要的性能参数为磁导率μ和饱和磁通密度Bs。它的等效电路为一个电
2020-06-16 08:47:53
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原创 TL431反馈回路的分析和设计
TL431（如图一）是最常用的三端可调电流基准源之一，热稳定性能好，性价比高，被广泛应用于运放电路，比较器电路，ADC基准源，可调压电源，开关电源等。在隔离开关电源电路中尤为常见，TL431常被用做运放配合线性光耦来完成电压环的补偿。如图二所示（图中L是为了降低输出电压纹波加的小电感）。以下图中所示电路为例，分析TL431构成的输出电压反馈回路。期望得到IFB(s)Vout(s)\frac{I_{FB}(s)}{V_{out}(s)}Vout(s)IFB(s)静态工作点分析前人种树根据
2020-06-15 12:40:45
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原创 模拟电子技术基础 -- 3. 多级放大电路
多级放大电路的耦合方式直接耦合多级放大电路，最容易想到的形式即为a中所示，Rc1R_{c1}Rc1既作为T1的集电极电阻，又作为第二级的基极电阻。如何选取合适的c1阻值？然而这种多级放大电路有一个缺点，通常情况下，UBEQ2U_{BEQ2}UBEQ2约为0.7V，则T1管的静态工作点将靠近饱和区，在动态信号放大时会引起饱和失真。为此，增加电阻e2，抬高T2的基极电位，如图b。但是，增加了e2电阻后，会使得T2管的电压放大倍数大大下降。为什么。因此需要选择一种器件取代Re2R_{e2}Re2，
2020-06-13 20:32:48
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原创 维谛技术Vertiv 暑期实习
零碎概念EMI — Electromagnetic Interference（电磁干扰）PWM_FAN — PWM波驱动的风扇LBS-Load Bus Synchronize(负载母线同步)中试：产品正式投产前的试验，是产品在大规模量产前的较小规模试验。ENPC – EMERSON NETWORK POWER COMPANYIQC–Incoming Quality Control 来料控制DFM–Design for manufacturability 产品的可制造性设计结温（Junc
2020-06-13 10:00:09
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原创 根据励磁电感、谐振电感（漏感）、功率等级、频率设计LLC变换器的变压器
参考文献：Transformer and Inductor Design Handbook, Fourth Edition设计简述：已知变压器的励磁电感和变压器的漏感（用作LLC变换器的谐振电感），功率等级，开关频率范围参数数值励磁电感LmL_mLm0.12 mH谐振电感LrL_rLr0.01 mH功率等级PPP1.5 kW开关频率fsf_sfs100 kHz磁芯材料概览不同磁芯材料的DC B-H曲线Amorphous 非晶态Perm
2020-06-09 11:03:37
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原创 EV charge station 电动汽车充电桩简述
概览电动汽车50%的成本在电池充电时间：20kW–120min30kW可能会成为市场标准和政府的把握方向充电桩分类交流充电桩：受限于电网，其功率等级倍限制在7~15kW直流充电桩：市场主流；功率等级在20~350kW无线充电桩：市场未普及；功率等级和效率不够充电桩输出范围家用：200~500V巴士：500~750V常用的拓扑三相Vienna PFC（50kHz~75kHz） + LLC交错并联（100~250kHz）在工程实际应用中，器件收到的电流电压应力是应.
2020-06-05 16:29:25
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原创 理解英飞凌MOSFET器件的数据手册
仅仅是自己的理解和应用需求，不全面，望见谅。以器件IPT60R040S7为例Power dissipationPtot=245W,Tj=25°CP_{tot} = 245W, T_j = 25°CPtot=245W,Tj=25°CPower dissipation字面意思：功耗。而且此处显然指的是一只管子的功耗。这就有点了不得了。如果我们想要保证管子的结温不高于150度，那么此时计算出来的热阻大概在 （150 - 25）/ 245 = 0.5 °C/W。datasheet上面给出的热阻数据
2020-06-04 10:20:21
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原创 模拟电子技术基础 --2. 基本放大电路
放大的概念和放大电路的主要性能指标性能指标放大电路放大的本质是能量的控制和转换。本章重点研究电压放大倍数AU=UoUiA_U = \frac{U_o}{U_i}AU=UiUo。输入电阻Ri=UiIiR_i = \frac{U_i}{I_i}Ri=IiUi。输入电阻越小，表明放大电路从信号源索取的电流越小，放大电路所得到的输入电压UiU_iUi越接近信号源电压UsU_sUs。输出电阻Uo=RLRo+RLUo′U_o = \frac{R_L}{R_o+R_L}U_o'Uo=Ro
2020-06-03 12:29:59
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原创 Jimmy的LaTeX调试记录
并排插入图片\begin{figure}\centering{\includegraphics[width=2.5cm]{10-1}}\hspace{0in} %每张图片中间空闲{\includegraphics[width=2.5cm]{10-2}}\hspace{0in}{\includegraphics[width=2.5cm]{10-3}}\hspace{0in}{\includegraphics[width=2.5cm]{10-4}}\hspace{0in}..
2020-06-02 15:44:53
296
原创 Jimmy的Altium Designer 2019调试记录
如何处理silk clearance报错Silk To Solder Mask (Clearance=10mil) (Disabled)(IsPad),(All) 0Silk to Silk (Clearance=10mil) (Disabled)(All),(All)处理方法：打开PCB文件--Design--Rules--Manufacturing--silk to silk clearance如何设置polygon 修改后自动重铺打开PCB文件--Tools--Preferen..
2020-06-02 15:44:11
701
原创 Jimmy的DSP调试记录
Header Filescompiler通常，在一个C++程序中，只包含两类文件——.cpp文件和.h文件。其中，.cpp文件被称作C++源文件，里面放的都是C++的源代码；而.h文件则被称作C++头文件，里面放的也是C++的源代码。C++语言支持“分别编译”（separate compilation）。也就是说，一个程序所有的内容，可以分成不同的部分分别放在不同的.cpp文件里。.cpp文件里的东西都是相对独立的，在编 译（compile）时不需要与其他文件互通，只需要在编译成目标文件后再与其..
2020-06-02 15:43:31
276
原创 Jimmy的MATLAB 调试记录
MATLAB 绘图如何创建多个legend将legend设置成string arraylegendx(Order_PADE+1,:) = ['Loop Gain of ', num2str(Order_PADE), '-order pade approximation']matlab 如何将多个不同长度的字符串保存在同一个数列中strvcatlegend_comparison = strvcat(legend_comparison, x);matlab 如何显示指定位数的..
2020-06-02 15:42:42
366
原创 模拟电子技术基础 --1. 常用半导体器件
半导体基础知识本征半导体导体导电只有一种载流子-自由电子；本征半导体有两种载流子–自由电子和空穴；自由电子的移动即是自由电子的移动，而空穴的移动则是价电子的移动。在一定温度下，本征激发产生的载流子与复合的数目相等，达到动态平衡，因此一定温度下，本征半导体中的载流子浓度是一定的。如果本征半导体外加电场，其载流子的运动情况是怎么样的？本征半导体导电能力很差，且与温度密切相关，可利用这一特性制作热敏或光敏器件。杂质半导体P（positive，多数载流子为空穴带正电）\N（negative，多数
2020-06-02 11:42:13
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原创 模拟电子技术基础 -- 0.导言
电路本质上就是对信号的处理常用的模拟电路及其功能放大电路滤波电路：信号的提取、变换、抗干扰运算电路：比例、加减乘除、积分、微分、对数、指数信号转换电路：电压信号-电流信号，交流信号-直流信号，直流电压-与之成正比的频率信号发生电路直流电源SPICE软件：在本记录中，所有的模拟仿真实验将通过免费的LTspice完成...
2020-06-02 09:41:53
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原创 锁相环概念
Notch Filter based PLLClosed Loop Phase TFHo(s)=θout(s)θin(s)=LF(s)s+LF(s)=vgrid(Kps+KpTi)s2+vgridKps+vgridKpTiH_o(s) = \frac{\theta_{out}(s)}{\theta_{in}(s)} = \frac{LF(s)}{s+LF(s)} = \frac{v_{...
2020-06-02 09:31:42
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原创 如何理解不同结构的电力半导体
不同结构的电力半导体的结构基础目前我们所接触到的半导体，其基础的构成有三种结构：p-n结MOS（金属-氧化物-半导体）MES（金属-半导体）若要比较准确地理解半导体的工作原理，我们应该先熟悉这三种基础结构的结构与特性。p-n结关于p-n结，最重要的概念就是漂移与扩散。简单来讲，由于p极材料与n极材料参杂物的不同，导致其内部的载流子类型不同，p型材料为空穴，n型材料为电子。在不...
2020-06-02 09:30:51
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原创 现代电力电子学中的瞬态分析
电力电子器件、电路、拓扑及控制脉宽调制三角波载波比较法增量调制法（滞环）Sigma-Delta调制法：该方法从参考信号中减去输出信号得到误差信号，对误差进行积分，当积分的误差值超过限制值时，输出信号的状态发生改变空间矢量调制电子市场上可以找到能够完成这些PWM控制方法的模拟集成电路，这些集成电路具有功耗低、元器件数量少的主要优点，但在系统配置上往往缺乏灵活性。许多数字电路 (...
2020-02-21 09:45:04
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