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原创 关于MOS管功率选型参数及四大要点分析
MOS选型第一步：选用N沟道还是P沟道低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。第二步：确定额定电流额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。MOS管并不是理想的器件，因为在导电过...
2019-01-11 15:22:41
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原创 MOS管工作原理的应用驱动电路详解
MOS管应用电路MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。现在的MOS驱动，有几个特别的应用1、低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发...
2019-01-04 10:13:47
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原创 高压MOS管1000V/2A 可代替IXFP4N100 数据表（PDF）
放眼半导体市场，现阶段1000-1500V超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，且存在价格高，交付周期长等弊端。对此可易亚半导体（KIA）针对1000V超高压MOS产品进行了大量的技术革新，通过多年的产品技术积累，开发出耐压更高，导通内阻更低的超高压MOS管，填补了国内空白，打破了进口品牌垄断的局面，也降低了客户对国外产品的依存度。超高耐压的器件主要应用场景为工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩，光伏逆变器等辅助电源。可代替艾赛斯IXFP4N100。低栅极充电可尽量减少开关损耗。...
2022-08-26 14:46:51
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原创 高压MOS管KNP41100A 2A/1000V【PDF数据手册】
对此可易亚半导体（KIA）针对1000V超高压MOS产品进行了大量的技术革新，通过多年的产品技术积累，开发出耐压更高，导通内阻更低的超高压MOS管，填补了国内空白，打破了进口品牌垄断的局面，也降低了客户对国外产品的依存度。N沟道MOSFET–KNX41100A漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2SK119/IXFP4N100，主适用于工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩，光伏逆变器等辅助电源。低栅极充电可尽量减少开关损耗。
2022-08-19 10:30:38
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原创 IXFP4N100参数及代换型号 数据表（PDF）中文资料
KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOLMOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复二极管；可申请样品及报价和有技术支持，有什么问题有技术员帮忙解决问题！N沟道MOSFET–KNX41100A漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2sk119，主适用于工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩，光伏逆变器等辅助电源。低栅极充电可尽量减少开关损耗。......
2022-08-12 17:35:41
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原创 2sk119代换KNP41100A 2A/1000V MOS管【PDF数据手册】
2sk119代换KNP41100A2A/1000V MOS管2sk119代换KNP41100A2A/1000V MOS管2sk119代换KNP41100A2A/1000V MOS管2sk119代换KNP41100A2A/1000V MOS管2sk119代换KNP41100A2A/1000V MOS管
2022-08-10 17:34:10
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原创 STFW3N150管脚功能 数据表（PDF）引脚图
高压MOS管KNX42150的开启延迟典型值为30nS，关断延迟时间典型值为45nS，上升时间65nS，下降时间60nS，反向传输电容11pF，具有极快的开关速度，可靠性高。2sk2225代换。最大功耗为50W，最大结温为150℃。N沟道MOSFET–KNX42150A漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为3A，适用于变频器电源，逆变器，DC-DC转换等。STFW3N150管脚功能。STFW3N150管脚功能。STFW3N150管脚功能。STFW3N150管脚功能。STFW3N150管脚功能。...
2022-08-05 15:51:41
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原创 2sk2225代换3A/1500V中文资料【PDF数据手册】
高压MOS管KNX42150的开启延迟典型值为30nS，关断延迟时间典型值为45nS，上升时间65nS，下降时间60nS，反向传输电容11pF，具有极快的开关速度，可靠性高。反向恢复时间410nS，正向电压的典型值1.6V。N沟道MOSFET–KNX42150A漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为3A，适用于变频器电源，逆变器，DC-DC转换等。该MOS管的导通阻抗典型值为6.5Ω。最大功耗为50W，最大结温为150℃。此产品的储存温度在-55到150℃，可适用于大部分环境。......
2022-07-28 17:12:01
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原创 高压MOS管KNX42150 1500V/3A 应用于变频器电源-逆变器等
1、该KNX42150MOS管VDS电压1500V，在550V电压上需留有1.5-2.5倍的裕量，以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375V，故需要应用到1500V耐压的MOS管，KNX42150耐压VDS电压1500V满足应用需求；KNX42150的开启延迟典型值为30nS，关断延迟时间典型值为45nS，上升时间65nS，下降时间60nS，反向传输电容11pF，具有极快的开关速度，可靠性高。2、导通电阻为最大为9毫欧，可降低导通损耗，降低输入电源功耗；最大功耗为50W，最大结温为150℃。.....
2022-07-22 17:43:00
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原创 MOS管过大电流时关断为什么会出现尖峰电压
当变频器与电动机之间的电缆线较长时，加装输出电抗器虽然可以减小负荷电流的峰值，但输出电抗器不能减小电动机端脚上的瞬变电压峰值。（3）此外，还应确保电动机铁心在检修过程中不受损伤或短路，电动机轴承等部件的装配满足精度要求，尽量降低涡流损耗等引起的局部发热和机械配合问题对电动机绝缘的影响。通过缩短电缆长度来降低两者之间的暂态波过程的振荡周期，以此来降低电动机两端的过电压。为了防止电动机绕组的绝缘过早老化或引起电动机、变频器的损坏，通常可以提供加接输出电抗器的方法来减小在电动机端脚上的高次谐波冲击电压。...
2022-07-15 17:31:56
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原创 MOS管的门极驱动电路知识和特性作用解析
1、直接驱动电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm，R2是为关断时提供放电回路的；稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门极和源极；二极管D3是加速MOS的关断；2、互补三极管驱动当MOS管的功率很大时，而PWM芯片输出的PWM信号不足已驱动MOS时，加互补三极管来提供较大的驱动电路来驱动MOS管。PWM为高平时，三极管Q3导通；PWM为低电时，三极管Q2导通，加速MOS管的关断；电阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生震荡，一般为10ohm到100ohm，R2是为关断时提供放电回路的；二极管
2022-07-08 17:50:53
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原创 如何用MOS管来实现电源防反接电路
在接电源到板子的时候，如果一个疏忽接反了，极有可能烧毁芯片或器件，所以需要设计防反接的电路。本文就介绍如何用MOS管来实现电源防反接电路。使用PMOS或者NMOS都是可以的，下面先来看一下PMOS怎么实现。如图所示，MOS管G极接地，D极为VBAT，续流二极管导通，使得S极为VBAT-0.7V左右，VgsVgs(th),...
2022-07-01 11:44:34
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原创 MOS管防倒灌电路设计及其过程分析
防倒灌电路设计-MOS管防倒灌电路知识分享MOS管防倒灌电路MOS管防倒灌电路设计如下图所示：在某些应用中，如电池充电电路中，B点是充电器接口，C点是电池接口，为了防止充电器拔掉时，电池电压出现在充电接口。（Q1、Q2、Q3共同组成防倒灌电路）注意Q3的DS反向接于电路，这样做是防止MOS的体=极管对电路产生的影响（如果Q3按常规方式接在电路中，C点接电源则会在B点出现电压用电压）电源自动切换防倒灌电路设计Oring电路介绍Oring电路从其名字就可以知道他的功能，可以理解为单向导电电路。目前Or
2022-06-24 14:58:08
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原创 MOS电容Cox的理论近似计算方法
MOS电容近似计算方法Cox的理论计算方式1、背景：在电路设计零极点计算中，我们经常需要对MOS管的栅电容进行理论估算，栅电容Cgg=CoxWL，W和L我们可以直接从器件参数得到，接下来我们需要知道MOS管的Cox具体值。2、Cox计算方式概念：（1）介电常数：它是表示绝缘能力特性的一个系数，符号为ε，单位为F/m（法/米）（2）相对介电常数：某种电介质的介电常数ε与真空介电常数ε0的比值，称为该电介质的相对介电常数，符号为εr，即εr=ε/ε0，εr是无量纲的纯数，其中真空介电常数ε0=8.854E
2022-06-17 15:12:52
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原创 开关电源电路图及原理12v分析-详细版
开关电源电路图及原理12v（开关电源电路图及原理详解）开关电源电路图及原理进行讲解，仅供参考！1、开关电源的电路组成开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。开关电源的电路组成方框图如下：2、输入电路的原理及常见电路（1）AC输入整流滤波电路原理：① 防雷电路：当有雷击，产生高压经电网导入电源时，由MOV1、MOV2、MOV3：F1、F2、F
2022-06-10 16:09:54
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原创 大容量电池充放电管理模块MOSFET选型及应用
锂离子电池包内部的电芯和输出负载之间要串联功率MOSFET，使用专用的IC 控制MOSFET 的开关，从而对电芯的充、放电进行管理。在消费电子系统中，如手机电池包、笔记本电脑电池包等，带有控制IC、功率MOSFET 管以及其他电子元件的电路系统称为电池充放电保护板（protection circuit module，PCM）。离子电池的容量从早期的600 mA·h， 到现在高达10 000 mA·h，为了实现更快的充电速度，降低充电时间，通常采用提高电流、使用大电流充电的快充技术，另外，大容量锂离子电池在生
2022-05-27 15:47:24
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原创 MOS管发热原因-总结有4大关键技术原因解析
做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。了解MOS管发热四大关键技术。1、芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为l=cvf（考虑充电的电阻效益，实际|=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，V为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低C、V和f.如果C、v和不能改变，那么请想办法将芯片的功
2022-05-20 15:09:23
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原创 详解电源反接使用MOS管保护电路原理及其优势
电源反接使用MOS管保护电路原理及优势如果电源反接，那么电路可能就是损坏，有时电源接反不可避免，因此我们必须要给电路加入保护电路。保护电路方法：1、电源正极串联一个二极管；缺点：因二极管有压降，电路必有损耗，电池寿命减短。2、接MOS管；优势：压降小（可忽略不计），MOS管价格低。NMOS管电路图如下：（此电路图实际应用G极前+电阻）原理：接电，MOS管寄生二极管导通，S极电位=0.6V G极电位=VBAT ，VBAT-0.6V > UGS阀值开启电压，此时，MOS管D极S极
2022-05-13 15:02:48
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原创 解析带软开启功能的MOS管开关电路
电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，是常用电路之一。本文要讲解的电源开关电路，是用MOS管实现的，且带软开启功能。电路说明电源开关电路，尤其是MOS管电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，如下框图所示。图中一个MOS管符号代表一个完成电路在设计时，只要增加一个电容（C1），一个电阻（R2），就可以实现软开启（soft start）功能。C1、R2实现软开关功能软开启，是指电源缓慢开启，以限制电源启动时的浪涌电流。在没有做软开启时，电源电压的上升会比较陡峭
2022-05-07 15:37:41
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原创 MOS管推挽电路设计及特性解析
1、三极管回顾：三极管推挽电路输出特点：Vout=Vin-0.3V（如下图所示）这中输出方式跟三极管的特性分不开。下文中提到的MOS管推挽电路将规避这个问题：涉及知识：三极管导通特性需要考虑压降，MOS管导通是没有压降这个概念，只需要考虑导通阻抗问题（Rds-on）2、MOS管推挽电路设计上N上N型推挽电路：如下图所示。Vout几乎等于VCC（这种方式是轨对轨方式（rail-rail））工作特性：一般工作在频率比较高，功率比较大的电路。重点：其中工作方式与之前三极管推挽电路工作方式相同；但
2022-04-29 15:16:34
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原创 MOS管在开关电路的作用及其特性
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；
2022-04-22 16:20:25
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原创 MOS管在电动车控制板中的应用及其特性解析
一、MOS管应用电路MOS驱动，有几个特别的需求:低压应用当运用5V电源，这时分假如运用传统的图腾柱构造，由于三极管的Vbe有0.7V左右的压降，招致实践最终加在Gate上的电压只要4.3V。这时分，我们选用标称Gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险；同样的问题也发作在运用3V或者其他低压电源的场所。宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他要素而变动。这个变动招致PWM电路提供应MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高VGate下安全，很多MOS管内置了稳压管强行
2022-04-14 15:27:12
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原创 认知MOS管-必懂MOS管11个基础知识点及分析
1、三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边2、N沟道与P沟道判别箭头指向G极的是N沟道箭头背向G极的是P沟道3、寄生二极管方向判定不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S4、MOS开关实现的功能1>信号切换2>电压通断5、MOS管用作开关时在电路中
2022-04-07 14:32:43
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原创 MOS管功率放大器电路图与原理图文及其解析
放大器电路的分类本文介绍MOS管功率放大器电路图，先来看看放大器电路的分类，按功率放大器电路中晶体管导通时间的不同可分：甲类功率放大器电路、乙类功率放大器电路和丙类功率放大器电路。甲类功率放大器电路，在信号全范围内均导通，非线性失真小，但输出功率和效率低，因此低频功率放大器电路中主要用乙类或甲乙类功率放大电路。功率放大器是根据信号的导通角分为A、B、AB、C和D类,我国亦称为甲、乙、甲乙、丙和丁类。功率放大器电路的特殊问题（1）放大器电路的功率功率放大器电路的任务是推动负载，因此功率放大电路的重
2022-04-02 14:58:59
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原创 解析MOS管推挽电路组成结构和特征优缺点
解析MOS管推挽电路组成结构和特征优缺点推挽电路MOS管推挽电路，什么是推挽电路。推挽电路就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推挽电路的组成结构MOS管推挽电路，看看推挽电路的组成结构。如果输出级的有两个三极管，始终处于一个导通、一个截止的状态，也就是两个三极管推挽相
2022-03-11 15:30:17
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原创 MOS管电容的原理特性及其优缺点
模拟IC电路设计中，会经常用到电容。芯片内部的电容一般使用金属当作上下基板，但是这种金属电容缺点是消耗面积太大。为了作为替代，在一些对电容要求不是很高的电路中，有人就想到了MOS管。确实，MOS管作为电容，相比使用金属电容来讲，同样容值要求下，可以节省不少面积。那么电子网就来说下MOS管电容的原理及优缺点。MOS管电容的原理MOS管形成电容的主要原理，就是利用gate与沟道之间的栅氧作为绝缘介质，gate作为上极板，源漏和衬底三端短接一起组成下极板。以下图的NMOS管为例。NMOS的剖面图它的
2022-03-04 11:20:02
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原创 详解MOS管并联注意事项和采取措施
MOSFET管并联工作时，需要考虑两个问题：1）满载时，并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡。2）通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡。在并联工作的情况下，无论是静态还是动态情况，如果一个MOSFET管分担了相对较多的电流，它发热将会更厉害，很容易造成损坏或者造成长期的可靠性隐患。静态电流分配不均衡是由于并联器件的Rds不相等引起的。Rds较低的器件分担了比平均值更大的电流。由于MOSFET管的Rds具有正的温度系数，所以MOSFET管不会发生二次击穿。如果MOSFET管内部的一小部分区域吸
2022-02-24 11:24:24
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原创 MOS管被ESD击穿解决方案-KIA MOS管
MOS管被ESD击穿？如何改善？大家可能并不陌生MOS管，由于MOS管不具备防静电、防浪涌，ESD静电和浪涌无处不在，存在于任何的电子产品中，令人防不胜防。然而MOS管却又是一个ESD静电极具敏感器件，它本身的输入电阻很高。而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电；又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。该如何解决MOS管被ESD击穿的改善方法？MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形
2022-02-18 16:31:53
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原创 详细分析MOS管缓启动电路及其原理详解
在电信工业和微波电路设计领域，普遍使用MOS管控制冲击电流的方达到电流缓启动的目的。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件就可以构成缓慢启动电路。虽然电路比较简单，但只有吃透MOS管的相关开关特性后才能对这个电路有深入的理解。本文首先从MOSFET的开通过程进行叙述：尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师并没有十分清楚的理解MOSFET开关过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。一般来说，电子工程师通常基于栅极电
2022-02-11 17:00:22
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原创 MOS管如何实现电池充电器的反向电压保护及过程详解
MOS管实现：电池充电器的反向电压保护我之前写文章介绍过如何用MOS管实现电源的防反接，点击电源防反接电路的几种实现方案，今天再分享一下ADI写的电池充电器的反向保护，正文如下：1引言处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管，但是由于二极管正向电压的原因，这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁，但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电时则须供应电流。另一种方法是使用图1所示的MOSFET电路之一。图1：传
2022-01-25 15:24:34
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原创 MOS管热阻测试原理过程分析及改进
热阻是依据半导体器件PN结在指定电流下两端的电压随温度变化而变化为测试原理，来测试功率半导体器件的热稳定性或封装等的散热特性，通过给被测功率器件施加指定功率、指定时间，PN结两端的电压变化（△VBE/△VF/△VGK/△VT/△VSD）作为被测器件的散热判据。并与指定规范值比较，根据测试结果进行筛选，将散热性差的产品筛选掉，避免散热性差的产品在应用过程中，因温升过高导致失效。MOS热阻测试是通过测试MOS体二极管两端电压变化△VSD来实现的，先后分别测试MOS管MOS体二极管正向压降Vsd1（加热前）和V
2022-01-21 15:54:44
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原创 解析MOS管的GS波形振荡是如何消除
对于电源工程师来说，很多时候都在看波形，比如看输入波形、MOS开关波形、电流波形、输出二极管波形、芯片波形、MOS管的GS波形……接下来，聊一下GS波形。我们测试MOS管GS波形时，有时会看到图1这种波形，在芯片输出端是非常好的方波输出，可一旦到了MOS管的G极就出问题了——有振荡。这个振荡小的时候还能勉强过关，但有时候振荡特别大，看着都令人担心会不会重启。那么，这个波形中的振荡是怎么回事？有没有办法消除呢？下面，让我们一起来看看：在图2中，IC出来的波形正常，到C1两端的波形就有振荡了。实际
2022-01-18 17:24:30
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原创 场效应管属于什么控制型器件及其试验测试方法分析
本文主要讲场效应管属于什么控制型器件？场效应管属于电压控制元件，场效应晶体管具有如下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。场效应管主要作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，
2021-12-24 15:19:07
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原创 MOS管自举电路工作原理以及升压自举电路结构图分析
MOS管自举电路原理以及MOS管自举电容工作原理的介绍MOS管自举电路介绍自举电路也叫升压电路，是利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高，有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。MOS管自举电路原理举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来？就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。自
2021-12-17 15:17:45
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原创 解析MOS管电流方向反及其体二极管能过多大电流问题
MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流？今天来说两个问题：1、MOS管导通电流能否反着流？D到S，S到D方向随意？2、MOS管体二极管能过多大的电流？为啥会有这两个问题？我们在最开始学习MOS管的时候，应该都是从NMOS开始的，电流的方向都是从D到S的。而实际应用电路，NMOS会有电流从S到D的情况，比如下面这个NMOS管防电源反接电路（仅仅是个示意图，实际电路需要多考虑一些因素）。原理我还是先大致说下。1、在电源正常接入的时候电源正极VCC经过后级负载电路接到体二极管，那么体
2021-12-03 15:16:20
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原创 了解MOS管开通和关断过程原理特性分析
小科普｜功率MOSFET的开通和关断过程 此博文包含图片 (2019-10-12 13:13:51)转载▼标签： 碳化硅 sic 半导体 功率mosfet mosfet 本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。 1、MOSFET开通和关断过程 的寄生参数示意图如图1所示，开
2021-11-26 15:45:27
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原创 MOS场效应晶体管的特征频率及措施事项
MOS场效应晶体管的特征频率及措施基本概念：在给定的发射中用于识别和测量频率，例如载波频率可被指定为特征频率。对于元器件而言，特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率。例如，对于用作为放大的有源器件一—双极型晶体管以及场效应晶体管而言，特征频率就是指其电流放大系数下降到1时的频率，这是共发射极组态作为放大使用的截止频率。对于用作为检波、开关等的无源二极管而言，其特征频率就是指其阻抗下降到很小、不能吸收信号功率时的频率，这时的截止频率也就是其特征频率。（1）MOS场效应晶体管的特征频率：
2021-11-19 15:01:54
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原创 MOS管被静电击穿的原因和防护措施解决方案
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。静电放电形成的是短时大电
2021-11-12 16:42:26
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空空如也
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