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RSS订阅原创 功率MOSFET动态参数测试系统
功率MOSFET动态参数测试设备技术参数和说明a、测试范围EN-1230A可对各类型二极管、MOS、IGBT等半导体分立器件的各项动态参数如开通时间Ton、关断时间Toff、上升时间Tr、下降时间Tf、开通延迟时间Td（on）、关断延迟时间Td（off）、开通损耗Eon、关断损耗Eoff、尖峰电压Vcepeak、di/dt，dv/dt，栅极总电荷、平台电压、反向恢复时间、反向恢复电流、反向恢复电荷、反向恢复电流变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻进行测试。联系易恩
2021-06-24 16:57:45
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原创 半导体参数分析系统
技术指标联系易恩：152 4920 2572 李经理标配功能单元1、开关测试单元•漏极电压测试范围：5V-1200V，分辨率1V；•漏极电流测试范围：1A-300A，分辨率1A；•栅极驱动：±30V，分辨率0.1V；•最大栅极电流：2A；•最大脉冲电流：300A；•电源电压（VDD）：5V-100V，步进0.1V，100V-1200V，步进1.0V。•脉冲宽度：1us-10000us,步进0.1us•时间测试精度：1ns；•感性负载：0.01mH-160mH程序控制，步进10u
2021-06-24 16:56:04
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原创 半导体功率器件测试系统
1.设备基本参数1.1设备名称：半导体功率器件测试系统设备型号：EN-3020B设备数量： 1 台外接设备：笔记本电脑1台设备规格：600mm×800mm×1600mm测试夹具： 5 个,TO220,TO247,TO252,TO3P,轴向二极管。1.2 环境要求A、环境要求：温度0～40℃，湿度小于70%；B、大气压力：86Kpa～ 106KpaC、电网电压：AC220V±10%无严重谐波D、电网频率：50Hz±1Hz1.3可测试器件类型：1）二极管2) MOS场效应管3)
2021-05-08 10:19:28
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原创 二极管正向浪涌测试系统
设备描述1.1 设备用途二极管正向浪涌电流测试系统概述：浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。ENL3010二极管正向浪涌电流测试仪的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。本系统通过电容充放电产生电流波，结合测试系统上位软件，设定好不同的测试条件，再通过调节不同的电感值来得到需要的电流脉宽，最后输出测试要求的电流值，本系统是SI器件和SIC器件二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：①、该测试仪是一套综合的测.
2021-05-08 09:56:30
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原创 功率器件静态参数测试系统
1.概述1.1 系统概述现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换…等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。EN—3020C测试系统是西安易恩电气科技有限公司推出的功率器件静态测试系统，该系统符合国军标GJB128-86和国家标准GB/T 45
2021-05-08 09:23:22
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原创 功率器件动态参数测试系统
1、产品概述EN-6500A功率器件动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT、MOSFET的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。2、规格环境工作电压：三相五线制AC380V±10%，或单相三线制AC220V±10%；电网频率：50Hz±1Hz；.
2021-05-08 09:17:56
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原创 考察EN-1230A分立器件动态参数测试系统
2020年下旬，成都某半导体公司来我司考察分立器件动态参数测试系统，该企业是一家专业从事半导体分立器件研发、生产的高科技电子企业，产品广泛应用于消费电子、物联网、电脑/宽带设备、工业自动化、家用电器系统以及汽车电子系统等诸多系统和领域。考察人员对我司产品给予了高度的肯定，并对我司技术研发能力表示高度的认可。本次考察的测试设备是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进
2021-04-30 11:45:19
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原创 ENX2020C HTRB高温反偏测试系统、ENX2020D HTGB高温栅偏测试系统最终验收
2020年9月上旬，安徽某半导体有限公司来我司进行发货前的最终验收，此次验收项目为ENX2020C HTRB高温反偏测试系统、ENX2020D HTGB高温栅偏测试系统，项目已满足客户各项技术指标要求，符合发货条件。如果对我们的产品感兴趣的话，联系易恩电气：152 4920 2572...
2021-04-30 11:43:15
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原创 去易恩考察ENX2020C IGBT高压反偏测试系统与EN-6500A 功率器件动态参数测试系统
2020年08月中旬，北京某机电科技有限公司来到易恩电气制造车间现场考察指导工作。该公司主要从事高速铁路和城市轨道交通移动技术及关键系统——牵引、制动、安全监控、网络控制等方面。考察人员对我司产品给予了高度的肯定，并对我司技术研发能力表示高度的认可。本次考察主要是针对于以下两类测试系统：ENX2020C IGBT高压反偏测试系统，该设备是专为IGBT模块进行高温反偏试验而进行设计，适用于中低压IGBT模块产品的高温反偏测试，最大测试电压为3.5kV。可以实现对IGBT器件集电极-发射极电压Vce、集电极
2021-04-30 11:41:04
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原创 ENJ2005-B半导体分立器件测试系统在中电某研究所正式上线运行
2020年8月上旬，我公司自主研发生产的半导体分立器件测试系统ENJ2005-B在中电某研究所正式上线运行。该设备测试18类器件，包括二极管，晶体管、J型场效应管，MOS场效应管、可控硅、IGBT、光电耦合、稳压/齐纳二极管、三端稳压器、光电开关、光电逻辑等。ENJ2005-B该测试系统具有以下特征：测试范围广（18类器件，包括二极管，晶体管、J型场效应管，MOS场效应管、可控硅、IGBT、光电耦合、稳压/齐纳二极管、三端稳压器、光电开关、光电逻辑等）升级扩展性强，支持电压电流阶梯升级至2000V
2021-04-30 11:38:02
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原创 功率半导体器件的研究意义
功率半导体器件的研究意义功率半导体器件是电力电子技术及其应用装置的基础，是推动电力电子变换器发展的主要源泉。功率半导体器件处于现代电力电子变换器的心脏地位，它对装置的可靠性、成本和性能起着十分重要的作用。40年来，普通晶闸管（Thyristor，SCR）、门极关断晶闸管（GTO）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）先后成为功率半导体器件的发展平台。能称为“平台”者，一般是因为它们具备以下几个特点：①长寿性，即产品生命周期长；②渗透性，即应用领域宽；③派生性，即可以派生出多个相关新器件家属。电力电子变换器的功
2021-04-30 11:36:28
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原创 IGBT模块的功率循环
什么是功率循环？功率循环power cycling顾名思义就是让芯片间歇流过电流产生间隙发热功率，从而使芯片温度波动。因为热源为芯片自身发热，所以一般称之为主动加热。功率循环的周期一般为3~5秒。功率循环对IGBT模块损伤的机理，主要是铜绑定线热膨胀系数与芯片表面铝层热膨胀系数不同，芯片热膨胀系数与DBC板不同导致的。损伤的结果主要是绑定线脱落，断裂，芯片焊层分离。芯片焊层的分离有两种模式，含铅的焊层一般从边缘向中心逐渐分离，而锡银材料的焊层一般从中心向边缘逐渐分离。如何进行功率、热循环测试？IE
2021-04-30 11:31:07
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原创 EN-1230A分立器件动态参数测试台
一、系统概述EN-1230A分立器件动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT、MOSFET的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。该套测试设备主要由以下几个单元组成： 开关特性测试单元 反向恢复测试单元 栅极电荷测试单元 安全工作区测试系统
2021-04-28 09:04:13
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原创 晶闸管模块测试台
1、门极触发特性门极触发电压：0.30—5.00V 分辨率0.01V 精度±5%±0.02V;门极触发电流：10—500mA 分辨率1mA 精度±5%±1mA阳极电压：12V；阳极串联电阻：6Ω；测试频率：单次。2、维持电流阳极电压：12V；维持电流：10—500mA 分辨率1 mA 精度±5%±1mA;测试频率：单次。预导通电流：30A，衰减波3、通态压降测试通态峰值电流：10—100A，分辨率1A，精度±3%±10A；通态电压：0.20V—9.
2021-04-27 08:32:19
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原创 EN-3020D 晶闸管静态参数测试系统
1、门极触发特性门极触发电压：0.30—5.00V 分辨率0.01V 精度±5%±0.02V;门极触发电流：10—500mA 分辨率1mA 精度±5%±1mA阳极电压：12V；阳极串联电阻：6Ω；测试频率：单次。2、维持电流阳极电压：12V；维持电流：10—500mA 分辨率1 mA 精度±5%±1mA;测试频率：单次。预导通电流：30A，衰减波3、通态压降测试通态峰值电流：10—100A，分辨率1A，精度±3%±10A；通态电压：0.20V—9.
2021-04-27 08:29:55
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原创 IGBT模块测试台原理
1、系统概述现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换…等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化
2021-04-26 08:33:12
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原创 IGBT测试仪
前言首先，非常感谢您选择西安易恩电气科技有限公司（以下简称易恩电气），EN-3020C IGBT静态参数测试系统（以下简称测试系统）。本用户使用手册（以下简称手册）适用于易恩电气测试系统，内容包括设备的安装、操作与规格等详细信息。为保证安全、正确地使用电源设备，请您在使用前详细阅读本手册，特别是安全方面的注意事项。请妥善保管本手册，以备使用过程中查阅。通告本手册版权归本公司所有。手册中包含的信息，仅供用户参考，如有更改，恕不另行通知。对本手册可能包含的错误或由提供、执行和使用本手册所造成的损害，
2021-03-22 16:18:47
329
原创 晶体管图示仪
ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，通过USB或者RS232与电脑连接，通过友好的人机界面操作，即可完成测试。并实现结果以EXCEL和WORD的格式保存。提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试
2021-03-22 16:06:20
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原创 可控硅阻断特性测试仪
一、概述EN-DBC-028-501型阻断特性测试仪是可用于测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及二极管的VRRM、IRRM参数以及其它半导体器件的相关参数测试的专业设备。它的测试方法符合GB/JB/T7626-94标准。该测试台具有漏电流自动保护功能，过电压自动保护功能。阻断电压和漏电流均采用数字表显示，读数准确、直观。二、技术指标1 输出峰值电压：0.20-5.00KV±3%，10V；2 输出峰值漏电流：低档0.1-10 mA ，分辨率：0.01mA 精度3%±0.1mA高
2021-03-22 15:53:32
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原创 ENX2020D 高温栅偏测试仪
1、系统概述IGBT、MOS、晶闸管等是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件以及控制电路。其中，城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中，大量使用了IGBT、MOS、晶闸管等器件，其各种静态参数的测试为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据，因此在实践中能准确及时的筛选出不合格的器件具有极其重要的实际意义。我公司研制的ENX2020D 高温栅偏测试系统，是针对IGBT、MOS、晶闸管等的模块而专门设计的一套全自动高温反偏老化测试系统。见图1联系易恩电气 152
2021-02-25 08:40:47
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原创 ENX2020C 高温反偏测试仪
1、系统概述IGBT、MOS、晶闸管等是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件以及控制电路。其中，城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中，大量使用了IGBT、MOS、晶闸管等器件，其各种静态参数的测试为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据，因此在实践中能准确及时的筛选出不合格的器件具有极其重要的实际意义。我公司研制的ENX2020C 高温反偏测试系统，是针对IGBT、MOS、晶闸管等的模块而专门设计的一套全自动高温反偏老化测试系统。见图1联系易恩电气李经理 15
2021-02-25 08:38:41
294
原创 EN-DBC-033B 晶闸管门极触发及维持电流测试仪
一、概述EN-DBC-033B晶闸管门极触发及维持电流测试仪是测试晶闸管门极参数的重要测试设备。测试单元符合国标 GB4024-83。本测试设备可用以测试晶闸管的 VGT、IGT、IH 参数。该测试台是专为测试晶闸管的门极参数而设计的，是晶闸管出厂检测的必备检测设备。该测试台具有测试精度高、测试操作方便、稳定性好等优点。二、主要技术指标2.1门极触发电压/门极触发电流测试单元—阳极电压：12V；—阳极串联电阻：6Ω；— 门极触发电压：0.1～5.0V±5%±20mV；— 门极触发电流：1～5
2021-02-23 08:34:44
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原创 EN-DBC-028-501 晶闸管阻断特性测试
前言尊敬的用户：首先，非常感谢您选择西安易恩电气科技有限公司（以下简称易恩电气），EN-DBC-028-501晶闸管阻断特性测试仪（以下简称028系列测试台）。本用户使用手册（以下简称手册）适用于易恩电气028系列测试台，内容包括设备的安装、操作与规格等详细信息。为保证安全、正确地使用电源设备，请您在使用前详细阅读本手册，特别是安全方面的注意事项。请妥善保管本手册，以备使用过程中查阅。通告本手册版权归本公司所有。手册中包含的信息，仅供用户参考，如有更改，恕不另行通知。对本手册可能包含的错误或由
2021-02-23 08:31:24
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原创 晶闸管阻断测试仪
一、概述EN-DBC-028-501型阻断特性测试仪是可用于测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及二极管的VRRM、IRRM参数以及其它半导体器件的相关参数测试的专业设备。它的测试方法符合GB/JB/T7626-94标准。该测试台具有漏电流自动保护功能，过电压自动保护功能。阻断电压和漏电流均采用数字表显示，读数准确、直观。二、技术指标1 输出峰值电压：0.20-5.00KV±3%，10V；2 输出峰值漏电流：低档0.1-10 mA ，分辨率：0.01mA 精度3%±0.1mA
2021-01-29 11:12:04
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1
原创 MOS测试仪
ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，通过USB或者RS232与电脑连接，通过友好的人机界面操作，即可完成测试。并实现结果以EXCEL和WORD的格式保存。提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试
2021-01-29 11:08:23
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原创 半导体模块测试仪
EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT与二极管的静态参数：其测试范围如下：联系易恩 152 4920 2572.栅极-发射极漏电流测试单元 IGESF、IGESR栅极-发射极阈值电压测试单元 VGE（th）集电极-发射极饱和电压测试单元 VCE（sat）压降测试单元 VF反向击穿电压测试单元 VR、
2021-01-29 11:06:43
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原创 半导体参数分析仪
ENJ2005-C技术指标主极参数 控制极参数指标 标配 指标 标配①主极电压 1mV-2000V ①控制极电压： 100mV-80V②电压分辨率： 1mV ②电压分辨率： 1mV③主极电流： 0.1nA-100A ③控制极电流： 100nA-40A④电流分辨率： 100pA ⑤测试精度： 0.2%+2LSB ⑥测试速度： 0.5mS/参数 测试范围 / 测试参数联系易恩：152 2920 2572序号 测试器件 测试参数01 绝缘栅双极大功率晶体管IGBT ICES
2021-01-29 11:02:44
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原创 IGBT测试
1、系统概述现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换…等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化
2021-01-29 10:55:57
862
原创 IGBT动态测试仪
1产品概述EN-6500A IGBT动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT模块的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。联系易恩：152 4920 25722规格环境与参数指标2.1规格环境与参数指标工作电压：三相五线制AC380V±10%，或单
2021-01-28 09:13:25
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原创 IGBT测试仪
1.1 系统概述ENJ2005-C测试系统（以下简称系统）是西安易恩电气科技有限公司推出的半导体分立器件测试系统，该系统符合国军标GJB128-86和国家标准GB/T 4587-94测试规范。联系易恩：152 4920 2572。系统适合工厂、研究所用做元器件筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试。系统可扩展性强，通过选件可以提高电压、电流的测试能力和增加测试品种范围。测试自动快速，可以满足各种用户需要。故障率低，保证了用户的生产效率。使用简捷方便，在PC窗口提示下输入被测器件的测试参数即可完成填
2021-01-28 09:11:53
990
原创 功率器件动态测试仪
1、品牌、型号货物品牌：西安易恩电气型 号：EN-6500A设备名称：功率器件动态参数测试系统尺 寸：800mm×1200mm×2000mm联系易恩：152 4920 25722、软件功能与安全功能通过测试软件实现对设备的监测与控制，所有测试设备集成到一个控制柜中；所有测试项目都包含在软件中，可实现测试过程自动化。系统采用图形化操作界面，界面友好、易操作，具有控制及监测界面编辑功能。简洁的人机交互界面（计算机）可以满足测试人员对宽禁带半导体功率器件动态参数测试，测试结果以
2021-01-28 09:09:53
355
原创 ITSM正向浪涌测试仪
1、系统概述ENL3010系列浪涌电流测试系统的测试方法符合JB/T 7626-2013中的相关标准。浪涌电流测试系统是二极管、晶闸管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1、该试验台是一套大电流、高电压的测试设备，电流支持扩展（最大可扩展至20kA）,带阻断功能（电压可扩展至10kV）,对设备的电气性能要求高。2、该试验台的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。3、该试验台采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。4、该套
2021-01-28 09:08:26
694
原创 dv/dt测试仪
1、系统概述该测试台是专为测试半导体器件断态电压上升率参数 dv/dt 而设计的，是半导体器件出厂检测的必备检测设备。该测试台具有测试精度高，测试操作方便、稳定性及重复性好等优点。2、设备品牌、型号货物品牌：西安易恩电气型 号：EN-4020尺 寸：600×800×1800（mm）占 地：600×800（建议：前后门各预留1m，便于后期维护）质 量：210kg 功 率：2000W工作电压：AC220V±10%无严重谐波电网频率：50Hz±1Hz
2021-01-28 09:07:14
892
原创 di/dt测试仪
1、系统概述该设备主要用于晶闸管通态电流临界上升率的测试。在此设备上能进行晶闸管的di/dt参数的试验。本测试台适用于普通晶闸管和双向晶闸管通态电流临界上升率didt测试。1）整个设备采用计算机集中控制方式；整个设备采用自动控制方式，计算机显示其测试结果，并具备基本的故障提示功能(各功能，模块的联锁信号指示以便于维修工程师查询)。此外，计算机有以下的功能：A．计算机界面能显示测量过程中的电流和电压波形（内置一个泰克 TDS 系列示波器的窗口，并设置相应电源和相应的主电流，电压和门极电流的共地接口）；
2021-01-28 09:06:17
820
原创 功率器件动态参数测试系统
1、品牌、型号、配置清单货物品牌：西安易恩电气型 号：EN-6500A设备名称：功率器件动态参数测试系统尺 寸：800mm×1200mm×2000mm联系方式：152 4920 25722、设备参数指标时间分辨率：0.1ns漏极电压测试范围：5V~4000V（支持升级扩展到10kV），分辨率1V；漏极电流测试范围：1A~200A，1-50A，分辨率0.1A；50-200A，分辨率1A.1、开关时间栅极驱动：±30V，分辨率0.1V，正负电压差小于30V，大于5
2021-01-27 17:28:04
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1
原创 浪涌电流测试仪
浪涌电流测试仪2.1、产品宣传手册2.2、货物品牌、型号货物品牌：西安易恩电气型 号：ENL3010尺 寸：800mm×1000mm×2000mm环境温度：15—40℃相对湿度：存放湿度不大于80%大气压力：86Kpa—106Kpa海拔高度：1000米以下电网电压：AC220V±10%无严重谐波电网频率：50Hz±1Hz电源功率：2KW供电电网功率因数：＞0.9联系方式：152 4920 25722.3、产品概述ENL3010系列FRD浪涌电流测试系统的测试方法
2021-01-27 17:26:45
1060
原创 分立器件综合参数测试仪
1、分立器件综合参数测试仪1.1、产品宣传手册1.2、货物品牌、型号货物品牌：西安易恩电气型 号： ENJ2005-B尺 寸： 450x570x280mm质 量： 35KG环境温度：15~40℃ 工作电压：AC220V±10%无严重谐波电网频率：50Hz±1Hz 通信接口：USB RS232 联系电话：152 4920 25721.3、产品概述设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开
2021-01-27 17:24:55
377
原创 IGBT静态参数测试
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了，IGBT的测试包括静态参数测试、动态参数测试、短路测试、热阻测试等，这些测试中最基本的测试就数
2021-01-26 10:52:17
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原创 半导体功率器件的发展及测试
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬州杨杰等）；模块类（嘉兴斯达、南京银茂、中车永电、西安卫光、湖北台基、宁波达新等）；设计类（青岛佳恩、无锡紫光、上海陆芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工类（上海华虹、芜湖启迪、深圳方正微、中芯集成电路等）；测试类（台湾冠魁、绍兴宏邦、西安易恩、杭州可靠性仪器厂、陕西三海、西安庆云等）；随着半导体功率器
2021-01-25 15:24:28
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原创 EN-3020B 分立器件参数测试仪
概述IGBT、MOS等是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件。其中，城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各种静态参数的测试为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据，因此在实践中能准确测量各种静态参数具有极其重要的实际意义。半导体参数测试仪，是针对IGBT、MOS等器件的各种静态参数而专门设计的一套全自动测试系统。该测试系统具有如下特点：该测试系统是一套综合参数测试系统，对设备自身的抗干扰能力要求较高，因此难度比较大；.
2021-01-15 10:21:11
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