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RSS订阅原创 希捷HDD最新财报：销售同比下降11%，环比增长6%，4Q24前景看好
随着云需求改善、我们强大的运营纪律和价格执行，希捷3月季度的营收增长了6%，非GAAP每股收益较上一季度翻了一番多。基于HAMR的产品为我们的客户提供了极具吸引力的经济价值，并使希捷能够实现进一步的财务业绩增长，同时抓住大规模容量存储的长期有利需求。非GAAP运营收入增长44%至1.83亿美元，带来非GAAP运营利润率为营收的11%，环比扩大近300个基点，非GAAP每股收益为0.33美元，较上一季度增加0.21美元，且高于指引区间中点，反映了需求趋势的改善和成本纪律的持续。
2024-04-24 22:08:31
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原创 继西部数据之后，希捷也跟进通知客户硬盘涨价
根据最新动态，美国存储巨头西部数据公司（Western Digital）于4月8日首次确认，HDD和固态硬盘（SSD）均出现供应短缺情况，并已向客户发出正式通知，告知将对NAND闪存和硬盘产品进行持续价格调整。原因在于，人工智能对高容量硬盘产品的需求推动，加之硬盘厂商减产，导致整体HDD供应无法满足需求，引发价格飙升。因此，希捷科技将对新订单及超出此前承诺的需求实施价格上调，并预计供应将持续紧张，暗示未来几个季度价格将继续上涨。
2024-04-24 21:53:48
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原创 ZNS SSD+F2FS文件系统｜如何降低GC开销？--2
相比之下，在传统的SSD上，由于采取一对一的段与section映射，即使在高硬盘利用率下，也较容易在右侧找到空闲段。然而，ZNS SSD的特性决定了其section数量与zone数量相匹配，这意味着在高利用率下，尤其是在存在多个并发写入者的情况下，ZNS SSD上很难找到可用的空闲section。针对ZNS SSD的特性，研究者发现尽管F2FS利用大比例的OP配置空间在一定程度上降低了GC开销，但在高磁盘利用率下，特别是在写密集型工作负载中，GC过程仍可能导致显著的性能下降。
2024-04-23 20:56:03
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原创 ZNS SSD+F2FS文件系统｜如何降低GC开销？---1
此外，F2FS在处理ZNS SSD时，可能会被迫将直接写direct I/O转换为buffer I/O，而突发的buffer IO读写操作可能导致内存使用激增、页面缓存被丢弃，进而影响数据移动过程，特别是涉及大序列写入和随机读取的操作。这样的布局确保了元数据不受ZNS的顺序写入约束影响，能够快速响应更新请求，同时充分发挥ZNS SSD在顺序写入上的优势。对于跨越区容量边界但起始位置在区容量之前的segment，其在区容量范围内的部分被视为可写入的，这部分逻辑块可以被正常分配给用户数据。
2024-04-23 20:55:16
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原创 漫谈HAMR硬盘的可靠性-2
采用triple stage actuator (TSA) 技术，实现更大的实现更大的TPI(每英寸磁道)数量和更高的面密度，在不需要增加碟片数量和磁头数量的情况下，实现容量的提升。原来放置在碟片的元数据，现在放在iNAND，也相当于给用户腾空了原来占用的数据空间，利于用户容量的提升。根据东芝公布的测试数据发现，MAMR的磁头可靠性比HAMR的磁头可靠性要高出好几个数量级，也就是说，，数据颗粒位的占用空间会更小，密度也会相应增加，从而达到提升容量的目的，同时保持磁稳定和热稳定。
2024-04-22 20:50:35
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原创 漫谈HAMR硬盘的可靠性-1
然而，在HAMR技术下，磁道间距更小且磁道本身变得更窄，导致写入磁道与读取磁道的宽度差相对减小，这意味着叠瓦效果所能带来的额外容量增长的空间变少。虽然30TB HAMR硬盘相较于传统硬盘容量显著提升，并具备更快的顺序读写速度以及更低的每TB功耗，但由于上述技术因素，在保持磁道间距以避免交叉干扰的同时，无法像低容量叠瓦式PMR硬盘那样大幅度地利用叠瓦技术来进一步提升存储密度。然而，最近展示的双层硬盘介质，采用多层堆叠的数据位存储方式，结合多级热辅助记录技术，至少可使当前一代HAMR技术的容量翻倍。
2024-04-22 20:49:34
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原创 存储竞赛，角逐未来
金大宇表示，三星电子已成功使用混合键合技术生产出16层堆叠的HBM3内存样品，该样品运行正常，未来将把16层堆叠的混合键合技术应用于HBM4内存的大规模生产。相较于当前的键合工艺，混合键合无需在DRAM内存层之间添加凸点，而是直接利用铜将上下层连接，大大提升了信号传输速率，更适合AI计算所需的高带宽需求。随着AI、机器学习以及高性能计算应用的迅速发展，尤其是生成式AI技术对更高性能计算能力的需求，市场对HBM的需求正以迅猛的速度增长，预计年复合增长率高达82%至35%，并且到2025年市场规模可能翻一番。
2024-04-20 23:41:06
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原创 最新消息：台积电因地震损失30亿新台币
凭借在地震应对及灾害预防方面的丰富经验和强大能力，以及定期举行的安全演练，地震发生后10小时内，台积电各厂整体设备恢复率超过70%，并在地震发生后的第三天结束前全面恢复。魏哲家指出，此次地震中，台积电各厂所受最大震度为5级。地震发生后，台积电立即启动晶圆厂安全措施及职业健康系统，确保所有人员安全，并通过大家的不懈努力，迅速恢复了工厂运行。
2024-04-20 10:03:44
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原创 万物皆可计算｜下一个风口：近内存计算-2
然而，在PIM环境中，由于计算发生在内存内部，直接操作物理地址，因此需要一种有效的地址翻译和映射机制来确保PIM操作能够正确寻址和处理操作数。这要求进行深入的工作负载分析，理解应用程序的访问模式、数据依赖关系、计算特性等，以便精准识别出能被PIM加速的代码段，并设计相应的PIM指令集、编译器优化策略和运行时调度机制。设计者需精心权衡计算与存储资源的配比，优化电路设计，采用低功耗工艺和架构，以及开发先进的散热解决方案，以确保PIM系统在提供高性能的同时，保持良好的能效比和热稳定性。
2024-04-19 22:07:19
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原创 万物皆可计算｜下一个风口：近内存计算-1
这项PIM（Processing-in-Memory）技术将计算功能直接集成到高带宽内存（HBM）芯片内部，实现了数据处理与存储的深度融合，减少数据迁移，通过将部分数据计算工作从处理器转移到内存本身，从而大幅提升AI加速器系统的能效比。随着处理器性能不断提升，其处理数据的速度远超主内存的读写速度，导致处理器经常处于等待数据从内存加载到缓存或从缓存写回内存的状态，这种等待时间占用了大量原本可用于计算的时间，限制了整个系统的性能表现。数据不再需要经过内存控制器、总线和各级缓存，而是直接在内存内部完成计算操作。
2024-04-19 22:06:35
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原创 NAND数据恢复的方案
为实现更优的校准，研究人员提出了一种基于高斯混合模型的方法，通过制作NAND VT图像（多次读取并微调读阈值），获取电压分布，再进行数据拟合，找到最优读阈值，从而最大限度减少数据完整性错误。现有的数据恢复技术，如读重试、读偏移和自动读取校准，虽然能在一定程度上应对比特错误，但其效果受NAND密度、老化程度和使用情况影响显著，且缺乏统一标准，易受固件工程师解读差异影响。其中，高斯混合校准作为一种创新方法，旨在优化读阈值设置，提高数据恢复过程中比特错误的纠正效率，为克服现有校准方法的局限性提供了新的思路。
2024-04-18 21:17:29
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原创 SSD常见故障模式与数据修复工具
固件异常：固态硬件的固件Firmware内部包括了SSD的FTL算法，读写逻辑，ECC纠错等算法，非常复杂，出现FWbug的概率也相当高。在固态硬盘长时间大压力读写，或者机器散热不高的情况下，持续高温运行，固态硬盘内部的器件也会加速出现异常或者降速运行，最终导致OS访问硬盘出现异常。当固态硬盘有跌落或者撞击的影响的时候，也会影响固态硬盘上电子器件的可靠性，出现异常，严重的话，会出现数据丢失。固态硬盘的数据修复比大家想象中的要复杂很多，而且固态硬盘的数据修复比机械硬盘难度大，所以，
2024-04-18 21:16:22
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原创 韩国NAND大厂只保持50%产量，不愿意扩产
尽管相比第一季度，第二季度NAND闪存采购量略有下降，但这并未削弱整体市场的势头，市场仍然受到供应商库存减少及减产影响的驱动。然而，三星对于进一步扩大生产保持谨慎态度，以防止影响NAND闪存价格走势。报道指出，三星NAND闪存生产线在满负荷运转下，一个季度可处理超过200万片晶圆，但内部设定的第二至第四季度各季度晶圆产出目标均控制在120万片左右，整体设备利用率维持在大约50%。此外，报道还透露SK海力士为其NAND闪存生产设定了每季度约60万片晶圆的上限，总体设备利用率在50%至60%之间。
2024-04-17 22:12:09
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原创 全球半导体排行：台积电登顶，中芯国际第24位
此外，英伟达在游戏市场、专业可视化以及新兴的元宇宙、Web3等领域的持续投入和市场拓展，也为其营收增长提供了有力支撑。如此迅猛的增长态势，使得英伟达在半导体行业中占据了更为显著的地位，成为驱动行业创新和发展的重要力量。值得注意的是，由于这份排名旨在比较全球最大的半导体公司年度销售额，并非旨在反映市场份额，因此包括了代工厂在内。与此同时，英伟达（NVIDIA）展现出惊人的发展势头，年度销售额实现三位数增长，凸显其在特定细分市场中的主导地位和创新能力。，反映了全球半导体产业的高度全球化和多元化特征。
2024-04-17 22:04:51
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原创 三星即将量产V9 NAND，2025年达到430层
采用串叠工艺的制造过程包括首先构建包含逻辑的CMOS层，然后在其上方叠加一层145层的3D NAND内存阵列，最后再在其上方叠加另一层145层3D NAND闪存。虽然这种制造工艺较为复杂，但有望提高数百层3D NAND内存产品的产量，因为构建两个145层3D NAND阵列比构建一个290层3D NAND阵列更容易。去年已宣布321层V9 4D PUC样品，下一个节点可能为3yy层（如370层或380层），位于400层以下。美光有可能直接跨入400层产品，而不经过300层，美光的计划可能发生变化。
2024-04-16 08:45:56
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原创 CXL与PCIe世界的尽头｜你相信光吗？
尽管面临诸多技术挑战，但随着科研创新、产业协作与标准化进程的推进，光学互连有望破解现有电子互连的瓶颈，开启数据中心互联技术的新篇章。：由于光纤不受电磁干扰影响，可以实现千米级别的无损传输，大大拓展了服务器集群间的连接范围，使得数据中心内的设备可以更加灵活地分布在更大空间内，同时不影响数据通信性能。：设计专用的高性能PCIe控制器和物理层芯片（PHY），能够支持最新的PCIe标准，并优化其与光学接口的对接，保证数据在经过光传输后的完整性和准确性。
2024-04-16 08:45:07
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原创 如何通过Linux pciehp sysfs接口控制PCIe Slot电源状态？-3
当插槽电源被关闭时，会切断NVMe SSD的电源输入，导致SSD内部电路无法继续工作，进入断电状态。NVME驱动卸载后，操作系统停止对NVMe SSD的访问，解除设备与驱动的关联，内核PCI子系统释放与NVMe SSD相关的资源，但不涉及硬件电源控制，也就不会改变硬件的电源状态。NVMe驱动收到卸载请求后，清理内部资源，取消注册设备，关闭中断，可能执行必要的设备同步操作（如FLUSH命令）。）可能被删除，驱动与设备之间的通信通道关闭，但设备仍保留在PCI总线上，可以被重新探测和加载驱动。
2024-04-15 20:08:07
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原创 如何通过Linux pciehp sysfs接口控制PCIe Slot电源状态？-2
因为NVMe SSD是作为PCIe设备连接到特定插槽上的，插槽电源状态的变化通常会直接影响到与其相连的设备。D3cold是一种深度低功耗状态，设备在该状态下几乎完全断电，唤醒过程可能比其他低功耗状态（如D3hot）更为复杂，需要更长的时间和额外的复位步骤。在某些情况下，即使设备支持D3cold唤醒，如果唤醒信号（如PCIe的WAKE#信号）未被正确触发或内核未能正确响应，设备可能无法成功恢复。在D0状态：设备可能支持在D0状态下接收PME#信号并做出响应，比如响应系统发起的电源管理命令，如进入低功耗状态。
2024-04-15 20:07:29
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原创 如何通过Linux pciehp sysfs接口控制PCIe Slot电源状态？-1
sysfs接口对NVMe SSD所在的PCIe插槽进行Power On/Off操作，实质上是通过Linux内核提供的用户空间接口，间接与PCIe硬件交互，控制插槽电源状态。在Linux系统中，对PCI Express（PCIe）设备进行热插拔管理，包括对NVMe SSD进行电源（Power On/Off）操作，通常涉及使用。是内核中用于管理PCIe热插拔功能的模块，它通过sysfs为用户空间提供了对PCIe插槽（slot）状态的控制接口。在对应插槽的sysfs目录下，通常会有。
2024-04-15 20:06:54
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原创 全景剖析SSD SLC Cache缓存设计原理-2
这意味着该方案不仅仅是被动地利用数据在SLC中的偶然存在，而是主动监控数据访问模式，识别出“热”数据，并确保这些数据即使在被写入一段时间后，仍能被优先保留在SLC缓存中，以提供持续的高性能访问。由于SLC模式的单元只需要区分两种电荷状态，其电压窗口更大，信号质量更好，这降低了误码率，增强了数据的稳定性，从而减少了需要进行纠错操作的次数，进一步减轻了单元的负担。尽管SLC模式下单个单元的寿命更长，但需要注意的是，SLC模式实际上是利用了一部分QLC或TLC闪存的空间来模拟SLC的行为。
2024-04-13 11:19:36
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原创 全景剖析SSD SLC Cache缓存设计原理-1
它作为一种有效的管理策略，确保了SLC Cache技术在提升写入性能的同时，能够与SSD的整体架构和数据管理机制良好兼容，维持数据的可靠性和SSD的长期稳定运行。话说，在某天凌晨收到一位存储随笔读者后台的私信，有关SSD SLC缓存的一段内容，这里面涉及知识背景，包括SSD原理，NAND相关基本操作要求等。，当你的SSD容量越大，有较高速传输效能的SLC Cache空间也就越大，例如1TB的SSD大约会有300GB左右的SLC Cache。，形成更大的写入块，减少整体的写入次数，进一步提升效率。
2024-04-13 11:18:56
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原创 2023全球存储大厂排名｜巨无霸三星居然不在列
若将过去两年财务数据已知的所有上述公司纳入统计，它们在2023年的总销售额为1131.1亿美元，相比2022年的1512.59亿美元，年降幅达到25%，这对于全球存储行业来说并不是一个乐观的数字。还有部分大型私有企业，如被Insight Peripherals收购的Veeam Software和被Nvidia收购的Mellanox，其年收入可能已超过10亿美元，但未公开具体数值。需要注意的是，尽管所有这些公司在不同程度上涉足存储业务，但各自的主营业务可能存在较大差异。
2024-04-11 19:28:51
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原创 存储革新：下一代低功耗PCM相变存储器
然而，这种方法的有效性已被证明有限，因为复位电流的减少往往微乎其微，而且由于需要使用先进且昂贵的微型化技术，制造成本显著增加。PCM的优点呢，主要有以下几点。其次，它的能效非常高，因为它只消耗很少的能量来完成读写操作。再次，它的耐久性也非常好，可以承受大量的读写操作，这就意味着PCM的寿命很长。神经形态计算系统：模仿生物神经网络的结构和功能，神经形态系统在模式识别和机器学习等任务中有可能实现无与伦比的效率和适应性。纳米丝PCM的高效节能和紧凑特性非常适合这类应用，能在保持低功耗和小型化的同时增强功能。
2024-04-11 19:27:52
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原创 WD西部数据正式通知客户：HDD与NAND继续涨价！
加之去年因市场环境因素导致HDD制造商减产，自去年下半年以来，高容量HDD供不应求，致使整体HDD价格显著上涨。此前《日经新闻》报道指出，尽管在单位存储成本上HDD具备竞争优势，但在主流消费级PC市场中，低于2TB的存储设备已逐渐由SSD取代HDD。TechNews的报告进一步指出，结合当前市场报告，由于内存厂商采取基于数量的定价策略实施减产措施，自2023年第三季度至今年第一季度，HDD的整体价格上涨幅度已累计达10%至20%。
2024-04-10 21:42:09
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原创 SSD涨价停不下来！
TrendForce还提到，为应对2024年下半年旺季需求，加上铠侠/西部数据库存水平较低，本次扩产将主要集中在112层和部分2D产品上，预计今年将取得成果，并进一步推动2024年NAND闪存行业供应位元增长率升至10.9%。这主要是由于AI热潮，加上全球科技巨头大规模建设数据中心，极大地增加了对内存设备的需求，导致SSD供应紧张。Phison认为，作为制造PC的关键部件，如果存储设备价格过高，可能会打乱在全球经济疲软背景下PC市场复苏的进程，可能导致需求再次萎缩，最终阻碍NAND闪存行业的健康发展。
2024-04-10 21:40:09
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原创 SSD 可靠性深度分析
例如，拥有高事务数据库的企业用户可能倾向于选择能够承受更高写入次数但牺牲容量的驱动器，而操作写入频率较低数据库的用户可能会选择性能较低但容量较大的驱动器。固态硬盘（SSD）因其相对于传统硬盘驱动器（HDD）的诸多优势而日益受到青睐，包括更快的速度、更小的体积、更高的能效以及由于没有活动部件而增强的耐用性。然而，不同 SSD 制造商在 SMART 属性监控和寿命期望值计算方面的不一致性，使得如果您打算使用这些信息来确定更换 SSD 的时机，查阅您 SSD 的手册变得至关重要。坏块影响文件的方式有两种。
2024-04-09 22:24:58
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原创 2023全球存储大厂排名｜巨无霸三星居然不在列
另外，像三星这样的存储巨头虽然在存储领域颇具规模，但由于未单独公布NAND和SSD业务的财务数据，因此未被列入排名。若将过去两年财务数据已知的所有上述公司纳入统计，它们在2023年的总销售额为1131.1亿美元，相比2022年的1512.59亿美元，年降幅达到25%，这对于全球存储行业来说并不是一个乐观的数字。还有部分大型私有企业，如被Insight Peripherals收购的Veeam Software和被Nvidia收购的Mellanox，其年收入可能已超过10亿美元，但未公开具体数值。
2024-04-09 21:22:33
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原创 多层磁介质让HDD容量翻倍，可超过120TB
近些年，尽管HDD市场收到SSD重创，市场占比遭遇滑坡，但SSD在企业存储市场的侵蚀并未显著增加，SSD容量出货占企业存储（HDD+SSD）总量的比例保持在31-32%左右。然而，最近展示的双层硬盘介质，采用多层堆叠的数据位存储方式，结合多级热辅助记录技术，至少可使当前一代HAMR技术的容量翻倍。2023年初，西部数据已经开始出货采用传统磁记录（CMR）技术的22TB硬盘和采用叠瓦式磁记录（SMR）技术的26TB硬盘，这些均为7200转速的3.5英寸近线硬盘。，其路线图显示将实现50TB以上的存储容量。
2024-04-09 20:36:21
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原创 苹果极有可能在今年或明年推出首款折叠屏硬件产品
同一报道引用的消息还指出，随着三星和华为持续在折叠屏手机市场投入，苹果面临着推出折叠屏手机的压力，以保持不掉队。然而，最大的挑战在于苹果如何能在较晚推出折叠屏手机的情况下仍能把握主动，吸引忠实的苹果粉丝，而不影响现有iPhone机型的销售。报道引用的行业消息认为，随着苹果进入折叠屏手机市场，市场洗牌不可避免，不仅为消费者提供更多产品选择，也可能使价格相比当前市场环境有所降低。同一报道援引的来源指出，苹果极有可能在今年或明年推出首款折叠屏硬件产品，这可能预示着折叠屏手机市场将转向三强争霸的局面。
2024-04-08 22:35:10
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原创 下一代分层存储方案：CXL SSD
此外，三星还在开发多款CXL方案，比如CXL DRAM (CMM-D)、CXL-PNM (CMM-DC)、内存语义SSD (CMM-H) 以及Smart SSD + CXL接口(I/F)计算(CMM-HC)均为CXL内存扩展和计算解决方案，这些都是三星内存实验室预测的产品。这一特性为降低固态硬盘（SSDs）的成本创造了机会，因为在“近内存”架构下，可以采用成本较低的存储介质，同时依然保证较高的性能水平，通过更好的资源搭配和层级设计，达到性价比最优的存储解决方案。这个跟三星的CMM-H TM类似。
2024-04-08 22:17:09
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原创 三星：HBM4的16层堆叠技术验证成功
从HBM2e逐渐过渡到HBM3e，再到HBM4，各厂商不断推进技术革新，提升内存带宽和容量，满足日益严苛的数据传输需求。随着AI、机器学习以及高性能计算应用的迅速发展，尤其是生成式AI技术对更高性能计算能力的需求，市场对HBM的需求正以迅猛的速度增长，预计年复合增长率高达82%至35%，并且到2025年市场规模可能翻一番。作为HBM市场的领军企业之一，三星已经实现了HBM订单的大幅增长，并且正在持续扩大其生产能力和封装技术，预期将在未来继续保持领先地位，包括下一代HBM产品的开发与生产。
2024-04-08 22:16:10
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原创 台积电最新声明显示设备已基本恢复，营收预测维持不变
据TechNews报道，台积电于5日晚间发布了最新进展公告，称其台湾地区晶圆厂内的设备已基本恢复正常。预计全年营收将以低至中两位数百分比增长。在4月3日地震发生后仅10小时内，晶圆厂内设备恢复率已超过70%，新建厂房如Fab 18的恢复率更是超过80%。截至5日，除受地震影响较大区域的部分生产线因需更长时间进行自动化生产的调整与校准外，得益于台积电员工及供应链伙伴的共同努力，台湾地区晶圆厂内设备已基本恢复。台积电强调，公司已对地震影响进行了全面评估，并将继续与客户保持紧密沟通，及时通报相关影响情况。
2024-04-07 19:48:05
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原创 2023年NAND闪存市场规模为367亿美元，较上年同比下降40%。
过去，作为经济晴雨表的内存市场（尤其是DRAM，其次是闪存）步入下行周期，通胀和较高的能源价格挤压了用于电子产品消费的可支配收入。供应过剩导致价格下跌，闪存收入状况恶化。遗憾的是，闪存与内存市场未能幸免于半导体市场历史上最陡峭的下滑之一，缺乏救世主。WebFeet Research, Inc.发布的《2023年非易失性存储器供应商市场份额报告》（CS700MS-2024，售价$3,000）显示，2023年是通胀温和与闪存、DRAM及部分非易失性存储器市场遭遇严重下滑的一年。随着疫情后经济逐步恢复正常。
2024-04-07 19:42:10
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原创 未来展望：3D NAND加快进入“千层饼”时代
133层为单层结构，无COP设计，总门数为133，有效字线数由128增至133，512Gb裸片上两个面各有两个子平面，速度提升至1600MT/s。去年已宣布321层V9 4D PUC样品，下一个节点可能为3yy层（如370层或380层），位于400层以下。在开发232层之前，长江存储内部曾有过192层和198层样品，但最终选择了直接过渡到232层。如今，三星已拥有280层V9 COP V-NAND。，甚至在五年内，通过采用更先进、优化的混合键合技术，可能出现超过600层或700层的封装解决方案。
2024-04-06 21:51:21
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原创 PCIe 7.0｜不要太卷，劝你先躺平
CXL 1.1（PCIe 5.0）支持直接内存扩展器连接。这三种CXL设备类型，目前来看，Type3内存扩展方案的发展最迅速，也是带给数据中心和内存厂商最大的机遇。根据Yole机构分析数据显示，CXL在2024年开始爬坡，在2025年将会大规模上量，也就是代表着CXL的时代从2025年开始正式到来。：继续追求低延迟性能，并强化系统的鲁棒性和数据传输的准确性，以适应对实时性和数据完整性要求极高的应用场景。：在提高性能的同时注重节能，致力于降低每比特数据传输的能耗，符合现代数据中心对绿色计算和能源效益的追求。
2024-04-06 09:14:45
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原创 十四款大型语言模型在《街头霸王III》中一决雌雄
根据Girard进行的测试，OpenAI的GPT 3.5 Turbo在他们对抗的八款LLM中以适当的优势（ELO评分1776）胜出。这款名为“AI Street Fighter III”的开源基准测试由Stan Girard和Quivr Brain开发，游戏在模拟器中运行，让大型语言模型（LLM）以非传统却壮观的方式展开对决。作为基于文本的模型，LLM在战斗中实时作出决策。有趣的是，Banjo还注意到，LLM的一些bug或特性（如AI幻觉和AI安全边界）有时会影响特定模型的打斗表现。
2024-04-05 22:14:12
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原创 AI生成式SSD是噱头？还是颠覆存储未来？
同时，利用先进的算法抑制稀疏数据中的冗余，使得即使面对TB级的数据集，生成式SSD也能高效地用极小的物理存储空间表示。然而，这种技术也面临着诸多挑战，如数据完整性和安全性、实时生成数据的性能要求、以及对高度可靠和复杂AI模型的依赖等，这些都是未来研发和应用过程中需要重点解决的问题。生成式SSD通过计算生成数据替代直接存储，顺应了计算成本下降与存储成本相对上升的趋势，有望引领存储行业走向更具经济效益和环保效益的路径。，目前还是一种概念性的新型存储设备，它颠覆了传统的数据存储方式，近日，市面上出现一种。
2024-04-05 08:30:24
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原创 如何通过pciehp管理NVMe SSD电源状态？
sysfs接口对NVMe SSD所在的PCIe插槽进行Power On/Off操作，实质上是通过Linux内核提供的用户空间接口，间接与PCIe硬件交互，控制插槽电源状态。在Linux系统中，对PCI Express（PCIe）设备进行热插拔管理，包括对NVMe SSD进行电源（Power On/Off）操作，通常涉及使用。在实际操作时，应谨慎对待设备电源管理，确保数据安全和系统稳定性。是内核中用于管理PCIe热插拔功能的模块，它通过sysfs为用户空间提供了对PCIe插槽（slot）状态的控制接口。
2024-04-04 19:32:18
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原创 Linux系统NVME SSD上下电流程梳理
在整个上下电过程中，Linux内核的NVMe驱动代码与PCIe寄存器紧密交互，通过读写这些寄存器来配置设备、发送命令、监控状态以及响应中断。驱动还必须遵循NVMe规范，确保在电源管理操作中正确处理SSD的特殊需求，如掉电保护功能的启用与验证，以最大限度保护数据完整性。对NVMe SSD在Linux系统中执行上下电操作，涉及到硬件层面的电源管理以及与操作系统驱动程序的交互。
2024-04-04 19:12:00
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原创 全球范围内2nm晶圆厂建设加速
除DNP外，日本凸版印刷株式会社（TOPPAN Holdings）也正与IBM合作开发2nm芯片用掩模，预计于2026年实现大规模生产，据报道Rapidus为其购买方。三星方面，其先前公布的路线图显示，将从2025年起首先为移动终端大规模生产2nm工艺芯片，随后于2026年转向高性能计算（HPC）产品，计划2027年扩展至汽车芯片领域。英特尔最新代工路线图显示，Intel 14A（1.4nm级别）节点将在2026年投入生产，而Intel 10A（1nm级别）节点将于2027年底开始研发或生产。
2024-04-03 22:51:32
657
2022年FMS(Flash Memory Submit) CXL论坛全景资料
2022-09-10
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