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原创 Silvaco Vcsel example01 解析
go atlas#启动atlas模块options verbose#提供额外的debugging输出数据mesh cyl auto#定义圆柱对称的网格x.mesh location=0 spacing=0.5x.mesh location=6 spacing=0.5#定义X方向网格,location定义网格的位置,spacing 网格间距#定义top区域,从y=0的位置向上#sapcerregion material=GaAs thick=0.01 sy=0.00
2021-10-29 11:31:14 1514 1
原创 ECV原理
一、ECV背景对于半导体器件的设计和制造而言,器件中载流子浓度、掺杂厚度以及杂质分布都是必须严格控制的参数,就要求对载流子的浓度及分布有更精确可靠的测量。目前,业界已有几种表征杂质浓度分布的方法,如扩展电阻法、电容一电压法(C-V)、二次离子质谱(SIMS)、微分霍耳法、电化学电容一电压法(ECV)等。这些技术各有其自身的优缺点。传统的CV法尽管实验方法简单,有较好的分辨率及精确性,但它受限于反偏电压下的击穿,不易表征高掺杂样品和具有一定深度分布的样品以及pn结;扩展电阻法可以测量pn结
2021-05-23 11:01:18 6576
原创 Sentaurus training 笔记
一.1个device文件(_des.cmd)包括如下几部分:FileElectrodePhysicsPlotMathSolveFile{*Input files Grid="nomos_msh.tdr" *Grid file包括2类信息,1几何形状包括区域、材料、电极、网格 2场值分布,例如掺杂分布Parmeter="nmos.par"*outputfilesCurrent=“nmos" *包括电极名和电压、电流、电荷、时间、温度等,用curr...
2021-03-19 20:46:35 1028
原创 半导体器件分类
半导体器件分类一、电子器件1.双极PN结 ,正向导通,反向截止双极型晶体管(BJT,Bipolar Junction Transistor) npn型,pnp型 bjt基本功能:电流放大、流控开关 工作:发射结正偏,集电结反偏。发射区中的多子注入基区,在那里他们变为少子。少子扩散过基区进入集电结空间电荷去,在那里,它们被扫入极电区。 HBT: 在bjt的基础上,将发射区改用宽带隙材...
2021-03-19 20:42:50 3196
原创 化合物半导体晶格常数汇总
化合物半导体晶格常数汇总1.Eg与晶格常数关系2.III-V族As3.III-V族N4.III-V族P5.SiGe
2020-12-24 16:45:15 4658 1
原创 Sentaurus 入门之二视频教程合集
1.Synopsys Sentaurus TCAD 器件仿真软件使用基本介绍使用1https://www.bilibili.com/video/av7122931102.Sentaurus TCAD功能介绍 及实例演示https://www.moore8.com/courses/2747
2020-11-22 12:26:16 1760
原创 Sentaurus 入门之一安装教程
参考:SentaurusTCAD详细安装教程(一)https://zhuanlan.zhihu.com/p/28517634Sentaurus TCAD vO-2018.06详细安装教程https://zhuanlan.zhihu.com/p/119299285Sentaurus TCAD安装之jedit+TCAD宏包https://zhuanlan.zhihu.com/p/29088473难点:1.linux 虚拟机2.linux基本操作 vim文本编辑 y...
2020-11-22 12:21:24 5907 1
原创 silvaco 仿真 实例1 LED
1.创建网格 width 网格宽度? y方向网格与厚度不一致2.第一层 -5~-0.603 GaN衬底第二层 3nm InGaN 井 20%In well.ny 量子阱网格点数第三层 100nm AlGaN 20%Al第四层 500nm GaN3.掺杂 均匀掺杂4.物理模型选择...
2020-06-25 00:00:53 4298
空空如也
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