- 博客(25)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 STM32 烧写程序报错Contents mismatch at
STM32 烧写程序提示Contents mismatch at:解决：debug中取消verify。取消后下载成功，代码仍不允许解决：DFP版本过低，将Keil.STM32H7xx_DFP.2.2.0.pack升级Keil.STM32H7xx_DFP.2.8.0.pack，成功运行。
2021-09-29 21:45:57
1781
原创 rt-thread 学习记录
加了AT-DEVICE包，使用了esp8266，下载后AT设备工作正常，但是Finsh界面无法交互，敲键盘没反应(到现在不知道怎么回事)。尝试解决：1.查看是否串口冲突未冲突 Finsh–>uart1ESP8266–>uart32. 尝试改变esp8266初始化顺序static int esp8266_device_register(void){ struct at_device_esp8266 *esp8266 = &esp0; return at_d
2021-04-26 15:04:40
226
原创 socket学习记录
socket学习记录/*tcp_server.c*服务器编程流程：* 1.创建socket ----> socket()* 2. 绑定IP和端口号 ----> bind()* 3. 设定最大连接数 ----> listen()* 4. 阻塞监听客户端连接
2020-12-01 22:39:44
191
原创 Linux学习记录----makefile②
Linux学习记录----makefile②多文件简易makefile学习记录：主要测试下makefile是否写对了，一共以下几个文件：//main.c#include <stdio.h>#include "test.h"#include "cube.h"int main(void){ cube(); circle(); return 0;}//cube.c#include <stdio.h>#include "cube.h"void c
2020-12-01 11:20:24
101
原创 Linux学习记录----makefile①
Linux学习记录----makefile①#知识点1. #是注释符号# 知识点2. 显示规则,格式如下#目标文件：依赖文件#(TAB)命令#test.i:test.c# gcc -E test.c -o test.i# #test.S:test.i# gcc -S test.i -o test.S##test.o:test.S# gcc -c test.S -o test.o# #test:test.o# gcc test.o -o test## 以上示例为linux
2020-11-30 23:07:58
90
原创 Linux学习记录----编译过程
Linux学习记录----编译过程从c源码程序到可执行文件，实际上需要经历几个步骤：1. 预处理第一个预处理步骤，会引入头文件，展开宏以及一些指令的处理使用以下命令可生成预处理后的文件```javascriptgcc -E test.c > a.txt //-E是预处理指令，>a.txt是将生成的结果打印到a.txt中```示例，以下为test.c源文件：#include <stdio.h>#define msg "helloworld!"#defin
2020-11-30 22:10:05
176
原创 linux网络编程学习记录----ARP数据报格式
linux网络编程学习记录----ARP数据报格式首先直接贴出以太网帧格式，如下：从以太网的帧格式可看出，其中首先就是目的地址（这个实际上是母的主机网卡的硬件地址），但是其他主机的网卡地址对源主机来讲是未知的，所以就有了ARP请求，ARP请求就是根据IP地址获取目的MAC地址，ARP请求可以理解为以太网帧的一种，帧格式如下所示：从开头填充这个帧：①以太网目的地址（目的MAC）这个就是我们要获得的目的主机硬件地址，所以此时此位置填FF:FF:FF:FF:FF:FF（6组）表示广播；目的路由器收到
2020-11-28 22:36:12
221
原创 阿里云服务器ubuntu18-04下使用wordpress搭建网站/ 编辑
**阿里云服务器ubuntu18-04下使用wordpress搭建网站/ 编辑**一. 服务器领取高校学生可以免费领取,此处不做详述:二. 配置wordpress首先进入控制台：然后远程登陆服务器（xshell、putty等）。输入以下两条命令：（1）apt-get update（2）apt-get install lamp-server^ //注意后面是符号不是手抖，执行过程中需要按提示输入yes添加80端口（http）和3306端口(mysql)
2020-11-27 17:32:40
189
原创 RT-Thread学习记录
RT-Thread学习记录做ds18b20温度读取线程时，发现一个报错bus fault:SCB_CFSR_BFSR:0x04 IMPRECISERRtemp: 25.6C, timestamp:16145psr: 0x21000000r00: 0x41cccccdr01: 0x14000000r02: 0x00003f11r03: 0x00000000r04: 0xdeadbeefr05: 0xdeadbeefr06: 0xdeadbeefr07: 0x20005738r08:
2020-11-25 15:29:25
802
原创 RT-Thread学习---Sensor框架
RT-Thread学习—对接sensor框架Sensor 驱动框架的作用是：为上层提供统一的操作接口，提高上层代码的可重用性；简化底层驱动开发的难度，只要实现简单的 ops(operations: 操作命令) 就可以将传感器注册到系统上。如图所示，sensor为上层应用提供统一的标准接口open/close/read/control，sensor框架底层提供ops接口;featch_data/control,实际上使用rt-thread的sensor框架，只需要对接这个接口就行，然后注册设备，应用层就
2020-11-24 22:20:42
2367
原创 RT-Thread学习记录----手写DS18B20
RT-Thread学习记录/* * Copyright (c) 2006-2020, RT-Thread Development Team * * SPDX-License-Identifier: Apache-2.0 * * Change Logs: * Date Author Notes * 2020-11-21 XIAO the first version *//*DS18B20 --> PC13*/#include "s
2020-11-23 22:22:46
493
1
原创 学习记录-“unknown type name ‘HAL_StatusTypeDef‘ ”报错
学习记录-“unknown type name ‘HAL_StatusTypeDef’ ”报错使用HAL_GPIO_Init()初始化IO口时，需传入结构体参数： GPIO_InitTypeDef GPIO_Initure;定义后，编译报错，HAL库文件报错：STM32F1xx_HAL_Driver\Inc/stm32f1xx_hal.h:299:1: error: unknown type name 'HAL_StatusTypeDef'解决：包括头文件:#include "stm32f
2020-11-21 20:21:05
6197
原创 RT-Thread学习记录
RT-Thread学习记录报错sbrkr.c:(.text._sbrk_r+0xc): undefined reference to `_sbrk'解决方法：开启libc支持
2020-11-15 20:30:50
277
原创 C语言?和:详解，C语言条件运算符详解
C语言?和:详解，C语言条件运算符详解如果希望获得两个数中最大的一个，可以使用 if 语句，例如：if(a>b){ max = a;}else{ max = b;}C语言提供了一种更加简单的方法，叫做条件运算符，语法格式为：表达式1 ? 表达式2 : 表达式3条件运算符是C语言中唯一的一个三目运算符，其求值规则为：如果表达式1的值为真，则以表达式2 的值作为整个条件表达式的值，否则以表达式3的值作为整个条件表达式的值。条件表达式通常用于赋值语句之中。上面的 if e
2020-11-10 16:01:11
1033
原创 RT-Thread之rt_sem_control（）
**RT-Thread之rt_sem_control（）**rt_err_t rt_sem_control(rt_sem_t sem, int cmd, void *arg)rt_sem_release释放信号量后会将挂起在sem_ack上的线程唤醒并重新调度，rt_sem_control是有可能等下次该线程运行时才会被执行的。在rt_sem_release后使用rt_sem_control的目的是因为在某些应用中必须rt_sem_take和rt_sem_release依次出现，而不允许rt_se
2020-11-10 15:12:54
2006
原创 UCOS-III之 OSInit() UCOSIII初始化函数
UCOS-III之 OSInit() UCOSIII初始化函数OSInit()函数是UCOSIII的初始化函数，其必须在调用任何其他UCOSIII服务函数之前调用它，包括多任务运行函数OSStart()，同时在OSInit() 调用的任何子函数遇到错误，OSInit() 都会立即返回。函数OSInit()主要负责初始化就绪优先级列表，就绪表等一些数据结构，并对系统使用的全局变量进行初始化。 OS_PrioInit();
2020-10-28 09:38:24
755
原创 # 宏定义#ifndef、#define、#endif的作用
理解宏定义#ifndef、#define、#endif的作用三个宏用在头文件中，防止多个文件都引用时，造成重复声明，如下所示。一般格式是所有字母都大写，并且开头加底直线同时点也用直线代替，比如头文件为 stm32f10x.h，则写成下面的样式。#ifndef __STM32F10x_H#define __STM32F10x_H...#endif我之前主要是裸机编程，一直是跟着用。但最近接触uC/OS时，我发现系统头文件名与宏定义不一样，如下图。于是我深度了解了下，实际上不必刻板的认为这个
2020-10-25 21:28:30
689
转载 C语言：static作用（修饰函数、局部变量、全局变量）
C语言：static作用（修饰函数、局部变量、全局变量）一、 static全局变量与普通的全局变量有什么区别 ? 全局变量(外部变量)的说明之前再冠以static 就构成了静态的全局变量。 全局变量本身就是静态存储方式， 静态全局变量当然也是静态存储方式。 这两者在存储方式上并无不同。 这两者的区别在于非静态全局变量的作用域是整个源程序， 当一个源程序由多个源文件组成时，非静态的全局变量在各个源文件中都是有效的。 而静态全局变量则限制了其作用域， 即只在定义该变量的源文件内有效， 在
2020-10-12 11:37:59
341
原创 STM32 HAL_Inlt()函数
HAL_Init()函数 [我使用的是stm32f1系列芯片]使用STM32CubeMX生成工程后，在工程main()函数中会首先执行HAL_Init()，本文位介绍此函数的功能。HAL_Init()函数在stm32f1xx_hal.c源文件中，完整代码如下：HAL_StatusTypeDef HAL_Init(void){ /* Configure Flash prefetch */#if (PREFETCH_ENABLE != 0)#if defined(STM32F101x6) ||
2020-10-09 22:57:05
3116
原创 电压有效值
为什么电压有效值等于0.707*Umax？以家用电220V为例，有效值思想为：在一个周期内，交流做功等效于某个直流做功，这个直流就是有效值。由此，用积分计算交流做功，电压瞬时值为Umsin(wt)(设初相角为0)，则由电压瞬时值可求瞬时功率，得到瞬时功率便可利用积分让其等效某个直流在T时间内做功，则有所以可推导出...
2020-07-22 11:17:09
5373
1
原创 RLC串联电路截止频率
频率、电流特性I=UZ=UR2+(XL-XC)2电流等于电压除以阻抗，此处是向量运算，这是由于电感和电容的电压分别超前和滞后电流90°，所以有XL-XC。代入感抗容抗公式XL=2πfL, XC=12πfC,作图分析f与I的关系（纯数学）。2.求截止频率（1）求谐振频率谐振时，感抗等于容抗，此时电路对外呈现纯电阻特性，同时由上式可知，此时电路电流最大，由XL=XC可求出谐振频率f0。（2）求品质因素因为谐振时，所以品质因素可由以上两种计算方式来求。分析公式可知，品质因素等于...
2020-07-20 09:43:17
11385
转载 交流电路中相位超前和滞后问题
转载自：henryzpeng在电路分析中，经常听到所谓相位超前滞后什么的，一直想不明白，电压加在器件两端，对于电源输出和器件输入必然是同相的呀，为什么会出现超前和滞后之说呢？ 首先列出几个很明确的概念： 线圈负载叫感性，电容负载叫容性，纯电阻负载叫阻性； 比如电机是感性负载，电容是容性负载，电炉电阻丝，白炽灯，碘坞灯等是阻性负载。 在电工或电子行业中对负载阻抗特性的定义，分为纯电阻型、电感型及电容型， 简称阻性、感性、容性。 几种负载在直流电路中的特...
2020-07-17 10:13:56
8558
原创 安规电容
用处：安规电容一般用于电源输入级滤波，分两种X电容：用于滤除差模干扰信号，所以接在零线火线之间，其容量较大，一般能达微法级别 Y电容：用于滤除差模干扰信号，成对出现，接在火线跟地之间以及零线跟地之间区别：主要区别，安规电容击穿或失效后为断路状态，而普通电容失效后可能是短路状态。一般设备地都会接到外壳上，所以若普通电容失效会导致机壳带电，存在安全隐患。（学习自B站寒武纪魔道电子，干活贼多推荐观看）...
2020-07-16 09:54:29
815
原创 电解电容和钽电容的区别
电解电容较广泛，钽电容（高档，军用）相对较少。1. 构造，体积，容积电解电容：一般铝电解电容常见，外部铝+内部电解液，体积较大，耐压值高能达几百伏；对低频响应较好，对高频会呈现出电阻性，等效串联电阻会明显增大钽电容：耐压值低一般在20V内；频率特性好，宽信号频率都能很好响应，所以钽电容适合高低频电路2. ESR（等效串联电阻）现实情况下，由于制造工艺等因素，电容等效于理想电容串联一个电阻电解电容：等效串联电阻较大，有的甚至能达几欧姆钽电容：等效串联电阻较小，一般在100毫欧以下
2020-07-14 17:23:31
2796
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人