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RSS订阅原创 产线发现扣上电池就开机问题分析
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有现象某SDM630平台手机项目首件，扣上电池，没有按Power键，主板立即开机。问题分析初步排查开机信号，VBUS信号，都没问题。高通介绍，有一种配置，可以实现扣上电池就开机，如下图：经检查CBL_PWR_N是悬空的。示波器测量开机顺序上的所有信号，发现PS_HOL...
2020-05-09 15:15:33
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原创 低电压电池充不进电问题分析
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1 问题现象某MSM8998手机项目，老化测试一端时间后，有很小比例的机器关机黑屏，充电1h没有反应。测量电池电压：2.6-2.8V；更换3.4以上的电池，可以正常开机，充电。不良机器的电池更换到其他手机，可以充电，开机。不良机器充电时，电池电压在2.8V-3.0V之间反...
2020-05-09 15:15:18
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原创 OVP使用小知识
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有注意，VOP里面的MOS管是NMOS，为了降成本。所以G极电压就需要明显大于S极，为了这么做，OVP里面都有一个Charge Pump。OVP会有一个最大输入电压，通常是29V，其实这个就是里面NMOS的DS极最高耐压。VOP内部有一个TVS管，可以抗大约100V浪涌。一...
2020-03-02 20:00:21
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原创 手表电池过放后不能充电
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1 问题描述有一批机器，放在工厂半年后，才开始出货。拆箱抽检，发现部分机器已经不能开机，电池完全没电。这些机器中，有一些机器充不进电。工厂生产的机器，一般要补电到4V，才会开始包装。假设此时电池的电量为300mAh，主板的漏电是50uA，至少也能放250天，不可能半年就没电了。...
2020-03-01 22:33:14
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原创 解过的ESD小问题
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有某智能手表在侧键附近打ESD后出现反复开关机现象根据反复重启的时间判断，类似于长按Power键。检查Power_On信号，发现已经被持续拉低，Power_On信号的原理图如下：为了降成本，位置1并没有贴TVS管，而是用一个电容代替，电容的耐压值是25V。失效的机器，这个电容已...
2020-03-01 21:18:39
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原创 某手机在-20度环境下，只能读到电池温度为-18℃
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有问题回顾测试部发现，手机在-20度温度箱里，从log读出来，温度只有-18℃。问题分析电池温度检测原理图如下，PM8952提供偏执电压（2.7V），选择上拉电阻阻值要与NTC电阻25℃时的电阻一致。NTC电阻参数如下，我们选择的10K@25℃，是没有问题的，除此之外，还有...
2020-03-01 18:23:34
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原创 某智能手表SIM卡不识别问题分析
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有问题回顾问题发生在一个低端MTK平台的项目上，量产机器有10%概率出现SIM卡不识别问题，且不识别的机器，在晃动，弯折，拆机，放置之后，又会出现可以识别的现象。问题很难复现，没有明显规律。问题分析所有出现问题的手表，没有固定的复现规律，疑似乎与应力有关。测量信号发现，MTK...
2020-03-01 16:34:18
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原创 手机充电IC设置电流与实测电流不一致问题分析
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有某手机的充电架构如下，主Charger用的是高通MSM8953平台套片的PMI8952，辅Charger用的是TI的BQ25898C。两个Charger可以单独工作，也可以同时工作，分开放置的目的是更好的散热。当BQ25898单独工作时，软件设置电流超过1.5A时，实测进入...
2020-02-21 15:18:51
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原创 MIPI（D-PHY）协议简介&测量方法&测试项简介
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1 MIPI Alliance说起MIPI，就得说下这个MIPI Alliance，这个联盟聚集了很多知名IC大厂，手机上用的很多通信协议，最知名的就是CSI，DSI和RFFE，都是它管辖的范围，下面用通信协议的方式画了一个手机架构，红色框住的部分是我们常见的。简言之，Ca...
2020-02-20 22:48:52
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原创 USB2.0一致性测试方法和报告解读
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1 设备要求USB2.0向下兼容USB1.1和USB1.0，它有三个速率模式，如下表，测试设备要有能力测量速率最高的 HS模式。有关USB2.0协议的简单介绍见文章《USB2.0协议简介(有实测波形解析)》。速率模式Data RateRise Time简称...
2020-02-19 22:46:06
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原创 DC-DC与电感
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有DC-DC即直流-直流转换器，输入是直流电压，输出也是直流电压。DC-DC有升压型boost，降压型buck和升降压型buck-boost。本文只讲述Buck型DC-DC，并用DC-DC简称Buck。跟LDO相比，DC-DC的效率非常，功率大，但复杂度，成本也高一些。1 DC...
2020-02-16 16:32:02
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原创 二极管的类别及特点
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有各大厂家的管子，基本都是按照下面的类别区分开关管Switching Diode正向电流IF在1A以下的通用二极管，这种二极管基本当开关使用，所以他的反向恢复时间Trr很低，能很快的截止和导通。一般通用电路，选这种二极管即可。有些地方叫小信号开关二极管。整流二极管Rect...
2020-02-15 14:09:48
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原创 静电、浪涌与TVS（测试标准、参数、选型）
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有ESD和浪涌问题往往是基带工程师最头疼的问题，因为测试标准严苛，问题神出鬼没。特别是ESD问题，没有解决问题的标准路径，只能靠反复地构思方案并验证。想要尽量避免以上问题，就必须选择合适的防护器件，设计上做足防护措施。本文告诉你ESD和浪涌的测试标准，测试方法，以及如何选择TVS...
2020-02-14 15:18:50
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原创 了解电感—参数、特性、选型
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有本文重点关注的是基带硬件领域常用的功率电感和高频电感，以功率电感为主。告诉你电感的一些特性，参数指标的含义以及几个大厂家的产品系列。1 电感分类按照不同的范畴，电感分类如下，下面章节逐个解释。1.1 电感用途：高频电感用于射频电路中，起到阻抗匹配，滤波的作用，一般...
2020-02-12 16:26:34
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原创 温度传感器介绍
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有疫情还在持续，这次灾难性的事故再次告诉我们，人类每一次挑战大自然，最终都会付出惨痛代价。这段时间，各地设关设卡，过关就要测量体温，几乎都是在用额温枪测量。想起当年SARS的时候，我还在度高中，全班用一个水印体温计，挨个放腋下测量体温，每人5分钟，全班60个人，效率很低。那时候，红...
2020-02-11 15:58:11
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原创 磁珠Ferrite Bead
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有磁珠长这样，如下图。经常在芯片的电源管脚处，串一个磁珠，用于抑制噪声。下面是我曾经用过的几个型号：型号品牌用途特点BLM18SG121TN1DMURATAVBUS0603,120Ω@100MHz,DC 25mΩ,3ABLM03AX241SN...
2020-02-09 15:24:45
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原创 NTC电阻
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有手机主板上又不止一个NTC，用于监测主板温度，射频器件温度，电池温度，如下是Murata的NTC温度曲线，电阻阻值随温度一直在下降。厂家会提供温度-阻值对应关系表，这个表要写进程序中，用于转换温度。NTC选型有两个关键参数，一是25℃时，NTC的阻值，二是B常数（25/50℃...
2020-02-08 23:26:21
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原创 有关电阻的小知识
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1 电阻符号2 电阻分类下图基本概括了常见电阻类型，基带工程师最常用的就是厚膜电阻，材料一般是金属。2.1 薄膜与厚膜薄膜电阻和厚膜电阻是市场上最常见的电阻类型，他们都是在陶瓷基底上镀一层电阻率材料，之后在这个电阻层上“刻”出不同的阻值。薄膜电阻的镀层厚度是0.1um，...
2020-02-08 22:59:16
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原创 LDO选型参考(原理、参数)
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有本文告诉你三件事：LDO的基本原理。LDO都有哪些参数，有什么意义。选型时的注意事项LDO基本原理LDO是Low Dropout Regulator的缩写，意思是低压差线性稳压器。下图是一个简单的LDO原理框图：低压差是指输入电压-输出电压的值比较低。传统的线性稳压器...
2020-02-07 17:48:17
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原创 如何测量电源纹波
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有纹波的测量点纹波测量点要选择靠近负载的地方，例如CPU的供电管脚上的去耦电容上。如果一个电源网络同时给多个大的IC供电，这几个大的IC电源管脚都需要测试文波水平。示波器要求电源走线上有很多电容，寄生参数，形成了一个类似的低通滤波器，电源上包含的频率分量并不高，最多数十兆赫兹。...
2020-02-06 15:07:35
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原创 一阶RC滤波器
一阶RC滤波器作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有RC低通滤波器频响曲线：幅度下降到Ui/√2，即是3dB带宽，此时ωCR=1，ω=2πf=1/CR，f=1/2πCR。时间常数τ=RC，它表示电容两端电压从0V上升到1-1/e=1-37%=63%所需的时间。τ≫Tw（方波宽度）时，滤波电路将变为积分电...
2020-02-06 12:04:18
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原创 PDN设计
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有PDN设计的目的是降低电源纹波水平，减小电压跌落。我们通常要求LDO的文波水平是30mV，DCDC是50mV，超过这个就需要PDN设计。PDN设计的方法是用不同的容值，合适的总电容量，降低电源平面与地平面之间的交流阻抗，确定容值总量和电容大小的过程，就是PDN设计过程。为什么需...
2020-02-06 10:41:00
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原创 计算机与CPU
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1 计算机架构1.1 冯诺依曼架构指令是一种特殊的数据，指令和数据放在同一个存储器中，只有一套数据和地址线。这不利于流水线操作。例如不能在取址时同时取数据。1.2 哈弗架构程序和数据放在两个存储器中，有两道数据地址线，DSP用的是哈弗架构。2 CPU架构2.1 CSIC...
2020-02-05 20:38:35
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原创 LDO输出端电容对其稳定性的影响
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有一个简单电压反馈型LDO原理框图如下：LDO电路是一个负反馈电路，这个机制保证了它的稳定性。当负载需求突然变大，拉低了LDO的输出电压，VF降低。此时Error Amplifier的压差变小，VA变小，VIN与VA的压差变大在这里插入图片描述，PNP输出电流增加，进而提高输出电...
2020-02-05 17:56:41
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原创 IBIS模型参数
IBIS模型参数作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有下面是一个典型的IBIS模型，包括了各种参数。你在IBIS模型中看到的参数都在下面表示出来了。PMOS导通，NMOS关闭，输出1；NMOS导通，PMOS关闭，输出0；PMOS和NMOS都关闭，输出高阻态。IBIS文件包含：I/V数据，R_PKG，C_P...
2020-02-05 17:01:37
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原创 PCB分层及堆叠注意事项
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有电源平面与低平面尽量靠近，最好相邻。地平面和电源平面相当于一个大电容，有利于PDN。每一根信号线，都要有回流层，我们称其为映像层，也即是参考平面。电源层与地层要求低阻抗，电源层的阻抗计算公式：D是电源与GND间距，W是面积。重要信号紧邻GND，最好不要放在...
2020-02-05 16:33:40
2015
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原创 PCB上的过孔（寄生参数及注意事项）
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有过孔的寄生电容ESC假设过孔焊盘直径为D1，阻焊区为D2，PCB厚度为h，基材介电常数为ε，则：例如：h=50mil（1.27mm），D1=20mil，D2=20mil，ESC=1.41x4.x50x20/(40-20)=0.31pF这个电容对信号上升时间的影响是：（计算方...
2020-02-05 16:29:06
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原创 以太网物理层信号
以太网物理层信号作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1 10Base-T1M以太网采用曼彻斯特编码，简单讲就是从“+”跳变到“-”判为0，从“-”跳变到“+”判为0；由于不论0还是1，都有跳变，所以DC平衡，并且接收端很容易从跳变中恢复周期。2 100Base-Tx同时采用4B/5B编码和MLT-3编码（三电...
2020-02-04 21:30:47
2982
原创 Xilinx FPGA 架构简介
Xilinx FPGA 架构简介作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有直接用一张图来说明Xilinx FPGA都包含哪些核心内容：LUT，Look up table的简称，本质上是一个RAM，目前FGPA中多使用4输入的LUT，每一个LUT可以看成一个有4位地址线的16x1 RAM（16个1bit存储空间）。HD...
2020-02-04 21:30:08
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原创 PowerPC MPC8270
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1 Memory MapMPC8270内部memory space=256KB，有32bit地址线，可以映射4G空间。这256KB包括了8270的所有寄存器，它在4G空间中的位置，由IMMR决定。过程如下：CPU复位后，根据Hardware Configuration Wor...
2020-02-04 20:08:07
1838
原创 过压保护电路（OVP）
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1 示例一当VBUS=5V时，各点电压电流如图所示，Q1接近截止，输出信号是5V。当VBUS=5.4V开始，输出信号开始下降，直到VBUS=6.1V，输出信号降低为0.6V。下面是实测波形，这个电路，输出信号的电压不会超过5.4V，这个输出信号可用于电源的控制信号。2 ...
2020-02-04 17:16:37
28747
6
原创 三极管BTJ与场效应管FET
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1 BJTBJT是Bipolar Junction Transistor的缩写，也即是双极性晶体管。从名字上看，BTJ就是有两个PN结组成。BJT有两种类型：NPN和PNP，其中NPN最常用，两者的表示符号如下：BJT是电流控制器件，下文以NPN为例，介绍BJT的放大原理。文中...
2020-02-03 20:40:33
4447
3
原创 我理解的二极管工作原理
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有本征半导体先说一下半导体，它是指硅，锗和砷化镓等。这种半导体中，叫本征半导体。本征半导体有稳定的共价键，一个原子周围有几个电子，互相吸引，形成稳定结构。但是在热激发的作用下，电子会随机无序运动。一个电子跑了，在稳定的共价键结构中多了一个空穴，因此也可以认为是空穴也在做随机无序运动...
2020-02-03 15:53:40
3709
原创 Virtex5 FPGA封装与IO命名
Virtex5 FPGA封装与IO命名作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有PINCH=1mm；XC5VLX330有600个差分对IO或者1200的IO管脚命名规范：IO_LxxY_#IO: IO PINLxxY: xx差分对编号，Y=P或者N，标识极性#： 表示BankIO_LxxY_ZZ...
2020-02-02 17:34:12
735
原创 LVPECL简介
LVPECL简介作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有LVPECL一般工作在3.3V，由5V PECL演变而来。LVPECL的输入阻抗极大，输出阻抗极小，因此驱动能力很强（输出电流大，输入电流小）。PECL：VCC=5VVOH=4.12V，VOL=3.28VVIH=3.78V，VIL=3.64VLVPECL...
2020-02-02 16:58:50
10962
原创 Xilinx Virtex-5 配置过程
Xilinx Virtex-5 配置过程作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1. Device Power-up保证响应的Bank都已经上电，如VCCINT，VCC0_X,VCCAUX.VCCINT：核电压，由器件工艺决定，1V，1.5V，1.8VVCC0_X：IO电压，存储逻辑单元电压VCCAUX：辅助...
2020-02-02 16:49:09
2768
原创 OC门与OD门
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有1 OC门集电极开路，结构如下：A由软件控制，写“0”时，输出低电平，写“1”时，输出高电平（开漏输出）。A=0，①截止，②导通，相当于开关闭合，输出0V（实际输出不是0V，因为三极管存在饱和压降）。A=1，①导通，②截止，相当于开关断开，C点呈现高阻态，通常情况下C点要...
2020-02-02 13:49:15
16461
原创 电容的安装电感的计算公式
作者：AirCity [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有L=10.16×Htop×ln(2s/d)单位pHHtop：第一层至器件顶层的距离s：过孔中心间距d：过孔直径...
2020-02-02 12:38:27
2429
原创 深入了解电容（五）：不同种类电容的特性对比&电容选择基本原则
不同种类电容的特性对比容量vs温度温度特性良好的电容器有导电性高分子铝电解电容器（高分子AI）、薄膜电容器（Film）、温度补偿用独石陶瓷电容器(MLCC)。导电性高分子钽电容器（高分子Ta）、高介电常数独石陶瓷电容器（MLCC<X5R,Y5V>）在高温区域中静电容量变化变大。下面是针对POSCap特意选出的几个曲线，对比其温度特性：全固体的聚合物电容器，二氧化锰型钽电解...
2020-02-02 00:27:38
15362
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原创 深入了解电容（四）：钽电容、聚合物有机半导体电容（POSCAP，ECAS）和薄膜电容
钽电容简介钽电容有固体钽电容和液体钽电容，容量都很大。固体钽电容容量达数百uF，液体钽电容容量高达数千uF，大多用于军工领域。如下是KEMET T493系列钽电容的内部结构：优点容量一般比较大，固体可达330uF，液体钽电容高达几千uF。宽温度范围，最高能到-55℃~125℃，整个温度范围内容值变化不超过±10%。寿命长，稳定性好。体积比铝电解电容小缺点ESR较高，数...
2020-02-02 00:24:42
9166
PNP+NMOS用于充电的原理解释.pdf
2019-10-19
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